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公开(公告)号：CN108110109B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201711474080.4
申请日：2017-12-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
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公开(公告)号：CN105762266B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610269510.8
申请日：2016-04-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有导热层的发光二极管及其制备方法，至少包括一衬底，及依次位于衬底上的N型层、发光层和P型层，通过在衬底与外延层之间插入一氮化铝层与石墨烯颗粒层交替层叠而成的导热层，减小现有发光二极管电流注入时的散热不均匀问题及大尺寸外延片生长时的由于散热均匀导致的翘曲问题。
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公开(公告)号：CN105428479B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201511012848.7
申请日：2015-12-31
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。
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公开(公告)号：CN105742435A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610245662.4
申请日：2016-04-20
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/12
摘要： 一种发光二极管及其制备方法，发光二极管至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层，其特征在于：所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构，所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。本发明于缓冲层和外延层之间插入一由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成的呈波浪形的DBR结构，Al颗粒层的金属反射性和波浪形的粗化结构可以进一步提高DBR结构的出光效率。同时，本发明还提供了制备方法。
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公开(公告)号：CN105762266A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610269510.8
申请日：2016-04-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/64 , H01L33/005
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有导热层的发光二极管及其制备方法，至少包括一衬底，及依次位于衬底上的N型层、发光层和P型层，通过在衬底与外延层之间插入一氮化铝层与石墨烯颗粒层交替层叠而成的导热层，减小现有发光二极管电流注入时的散热不均匀问题及大尺寸外延片生长时的由于散热均匀导致的翘曲问题。
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公开(公告)号：CN107086258B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710252090.7
申请日：2017-04-18
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的Droop效应，提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN105742435B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610245662.4
申请日：2016-04-20
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 一种发光二极管及其制备方法，发光二极管至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层，其特征在于：所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构，所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。本发明于缓冲层和外延层之间插入一由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成的呈波浪形的DBR结构，Al颗粒层的金属反射性和波浪形的粗化结构可以进一步提高DBR结构的出光效率。同时，本发明还提供了制备方法。
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公开(公告)号：CN108110109A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711474080.4
申请日：2017-12-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
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公开(公告)号：CN107086258A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710252090.7
申请日：2017-04-18
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的Droop效应，提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN105428479A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511012848.7
申请日：2015-12-31
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/145
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。
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