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公开(公告)号：CN105336579A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510629914.9
申请日：2015-09-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L21/02 , H01L21/02172 , H01L21/022 , H01L29/0653 , H01L29/20 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/02455 , H01L21/02381 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02631
摘要： 本发明提出了一种半导体元件，通过利用衬底上生长的金属保护层、金属氧化物保护层避免硅衬底表面非晶态层的形成；利用过渡层减小所述金属氧化物保护层与所述III-IV族缓冲层的晶格差异，提高所述III-IV族缓冲层的晶体质量。本发明同时提出一种制备方法，该方法可以避免在硅衬底界面附近非晶态层的形成，避免裂纹的产生。同时充分利用PVD法沉积的高质量多层缓冲结构，及在其上生长氮化镓或铟镓氮或铝镓氮外延层，制作成发光二极管元件或晶体管元件。
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公开(公告)号：CN107768494B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710886241.4
申请日：2017-09-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种LED外延结构及其制备方法，本发明在电子阻挡层与最后势垒层之间插入复数个氮化镁化合物成核结构，并以此成核结构为核心，生长复数个岛状结构，以减少光在电子阻挡层与最后势垒层界面处的全反射现象，使从多量子阱发光层发出的光更多的进入电子阻挡层，进而提高LED外延结构的出光效率，并通过电子阻挡层填平岛状结构，继而得到一表面平整的LED外延结构。
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公开(公告)号：CN108321270A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810086594.0
申请日：2018-01-30
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管的制备方法，包括于衬底上依次生长缓冲层、碳化温度为C1的材料微粒、PVD法生长的AlN层、生长温度为C2的过渡层、以及生长温度为C3的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层的步骤，其中C3>C1>C2，材料微粒在生长过渡层未碳化，而在生长第一导电型半导体层时，其在高温下碳化，从而在缓冲层和AlN层之间形成反射和折射光的孔洞，减小发光二极管的吸光，进一步增强发光效率。
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公开(公告)号：CN106025009B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610565314.5
申请日：2016-07-19
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/00 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： 本发明属于半导体技术领域，涉及一种发光二极管及其制备方法，利用低生长速率、高Mg/Ga摩尔比及高Mg掺杂，使得P型层在厚度小或者等于于250Å时，仍然能填平电子阻挡层上表面的V型缺陷，减小P型层对光的吸收，同时，减小器件因表面V型缺陷密度较大而产生的漏电情况，提升其抗静电能力。
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公开(公告)号：CN105762266A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610269510.8
申请日：2016-04-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/64 , H01L33/005
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有导热层的发光二极管及其制备方法，至少包括一衬底，及依次位于衬底上的N型层、发光层和P型层，通过在衬底与外延层之间插入一氮化铝层与石墨烯颗粒层交替层叠而成的导热层，减小现有发光二极管电流注入时的散热不均匀问题及大尺寸外延片生长时的由于散热均匀导致的翘曲问题。
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公开(公告)号：CN105336579B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510629914.9
申请日：2015-09-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/44 , H01L21/02 , H01L21/02172 , H01L21/022 , H01L29/0653 , H01L29/20 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 本发明提出了一种半导体元件，通过利用衬底上生长的金属保护层、金属氧化物保护层避免硅衬底表面非晶态层的形成；利用过渡层减小所述金属氧化物保护层与所述III‑IV族缓冲层的晶格差异，提高所述III‑IV族缓冲层的晶体质量。本发明同时提出一种制备方法，该方法可以避免在硅衬底界面附近非晶态层的形成，避免裂纹的产生。同时充分利用PVD法沉积的高质量多层缓冲结构，及在其上生长氮化镓或铟镓氮或铝镓氮外延层，制作成发光二极管元件或晶体管元件。
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公开(公告)号：CN104157680B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410380142.5
申请日：2014-08-04
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/02 , C30B29/38
摘要： 本发明公开了一种半导体模板及其制作方式及具有其的LED或FET组件，包括AlN基板，并设有氮化物半导体膜层形成于AlN基板上，制作过程中采用过渡基板，能够得到大面积、较厚、高质量且无翘曲的氮化物半导体模板，并且制作过程方便，成本低。
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公开(公告)号：CN106784204B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201611187790.4
申请日：2016-12-21
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 一种氮化镓基发光二极管结构，依次包括衬底、底层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述P型层由电子阻挡层、至少一层能带变形层和空穴注入层组成，所述能带变形层插入于电子阻挡层之内或位于电子阻挡层与空穴注入层之间或插入于空穴注入层之内或位于空穴注入层之上；所述能带变形层为碳杂质含量不高于5×1016cm‑3的非P型层；所述低碳杂质含量使得能带变形层的能带弯曲，增加能带变形层与相邻层的接触界面上二维空穴气浓度。
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公开(公告)号：CN105762266B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610269510.8
申请日：2016-04-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有导热层的发光二极管及其制备方法，至少包括一衬底，及依次位于衬底上的N型层、发光层和P型层，通过在衬底与外延层之间插入一氮化铝层与石墨烯颗粒层交替层叠而成的导热层，减小现有发光二极管电流注入时的散热不均匀问题及大尺寸外延片生长时的由于散热均匀导致的翘曲问题。
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公开(公告)号：CN106848039A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710166197.X
申请日：2017-03-20
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48 , H01L33/502 , H01L2933/0041
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及白光发光器件及其制作方法，本发明采用有机半导体聚合物高等规聚3‑己基噻吩作为光转换层，其吸收发光二极管所发出的蓝光并转换成黄光，蓝光和黄光在透明封装结构内混合形成白光，相较于传统的采用荧光粉制作白光发光二极管而言，本发明中的白光发光二极管具有更高的光纯度，发光更均匀。
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