发明授权
- 专利标题： 一种氮化镓基发光二极管结构及其制备方法
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申请号： CN201611187790.4申请日： 2016-12-21
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公开(公告)号： CN106784204B公开(公告)日： 2019-01-18
- 发明人: 李政鸿 , 翁聪 , 程志青 , 林兓兓 , 张家宏
- 申请人： 安徽三安光电有限公司
- 申请人地址： 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
- 专利权人： 安徽三安光电有限公司
- 当前专利权人： 安徽三安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
- 主分类号： H01L33/02
- IPC分类号： H01L33/02 ; H01L33/14 ; H01L33/16 ; H01L33/00 ; B82Y30/00
摘要：
一种氮化镓基发光二极管结构，依次包括衬底、底层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述P型层由电子阻挡层、至少一层能带变形层和空穴注入层组成，所述能带变形层插入于电子阻挡层之内或位于电子阻挡层与空穴注入层之间或插入于空穴注入层之内或位于空穴注入层之上；所述能带变形层为碳杂质含量不高于5×1016cm‑3的非P型层；所述低碳杂质含量使得能带变形层的能带弯曲，增加能带变形层与相邻层的接触界面上二维空穴气浓度。
公开/授权文献
- CN106784204A 一种氮化镓基发光二极管结构及其制备方法 公开/授权日：2017-05-31
IPC分类:
