公开(公告)号：CN101155648A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680010817.0

申请日：2006-01-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿卡第·V·萨沐罗夫 ,  阿里·佐扎伊

IPC分类号： B08B6/00 ,  C25F1/00 ,  C25F3/30

CPC分类号： H01L21/02019 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

摘要： 本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。

公开(公告)号：CN101155648B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN200680010817.0

申请日：2006-01-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿卡第·V·萨沐罗夫 ,  阿里·佐扎伊

IPC分类号： B08B6/00 ,  C25F1/00 ,  C25F3/30

CPC分类号： H01L21/02019 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

摘要： 本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。