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公开(公告)号：CN105439126B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2‑3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN105047528B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN105439126A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2-3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN105442049A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410440150.4
申请日：2014-09-01
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种用于单晶硅表面图案化微加工的贵金属催化化学腐蚀法。本发明采用（100）或（111）单晶硅片，常温下利用丙酮、无水乙醇和氢氟酸处理得到清洁的硅表面，然后在清洁的单晶硅表面上做设定图案的光刻掩膜；配制氢氟酸/贵金属盐溶液/氧化剂均匀混合的腐蚀液并放入水浴中预热，把硅片浸入腐蚀液，在一定的溶液配比下通过控制水浴温度与反应时间即可获得表面图案化微加工的单晶硅片。本发明利用特定贵金属催化工艺技术，单步法即可实现硅片表面图案的均匀腐蚀，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得表面图案化微加工的单晶硅片，拓宽了贵金属催化硅腐蚀的应用范畴，为硅片表面图案化微加工提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN105047528A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/02052
摘要： 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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