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公开(公告)号:CN101039014A
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200710005407.3
申请日:2007-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/83385 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322
Abstract: 本发明公开了一种光半导体装置。目的在于:提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内,以提高半导体激光的性能、可靠性,提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20,包括:半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
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公开(公告)号:CN101022098A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200610143304.9
申请日:2006-11-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/10 , B23K20/004 , B23K20/10 , B23K35/002 , B23K35/0227 , B23K35/286 , B23K35/3601 , B23K2101/32 , B23K2101/40 , B23K2103/10 , B23K2103/18 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/85205 , H01L2224/8582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/0002
Abstract: 能够以低成本进行Si和Al的可靠连接。连接结构体(1)是Si电极(Si构件)(40)和Al引线(Al构件)(20)的连接结构体。在Si电极(40)和Al引线(20)之间夹装有第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…),第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)均与Si电极(40)相接,且与Al引线(20)相接。在第一部分(2)存在Si氧化物层(13)及Al氧化物层(23),Si氧化物层(13)与Si电极(40)相接,Al氧化物层(23)介于Si氧化物层(13)和Al引线(20)之间。在第二部分(4、4…)存在Al,在第二部分(14、14…)存在Si部(14a)及Al部(14b)。
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公开(公告)号:CN1953174A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610101944.3
申请日:2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/284 , H05K3/3442 , H05K2201/0191 , H05K2201/10636 , Y02P70/611
Abstract: 本发明提供一种不限密封树脂的种类,防止在印刷布线基板上的安装回流时发生短路故障的电子元件内置组件。在基板(10)的元件搭载面(11)形成连接盘(12、12),其上放置片式元件(20)的电极部(21、21)并通过焊锡(15、15)连接固定。片式元件(20)由密封树脂(30)密封。当设片式元件(20)的主体部(22)的下面与元件搭载面(11)之间的距离为a、设存在于主体部(22)的上方的密封树脂(30)的厚度为b时,若设定b/a在6以下,则可防止在将电子元件内置组件安装于印刷布线基板等的安装回流时,焊锡(15、15)熔融并流动发生而使两个电极部(21、21)短路的短路故障。
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公开(公告)号:CN1790706A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200510127180.0
申请日:2005-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/06596 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/1627 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的,粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件,形成的多层构成半导体微型组件。树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。还有,形成在第1树脂衬底(3)中的第1埋入导体(7),在为组装半导体芯片(2)的区域周围,分别排列了由内向外的复数列,第1埋入导体(7)的排列间隔越向外侧越大。形成在薄膜部件(5)中的第2埋入导体(9),在开口部(10)的周围,分别排列为由内向外的复数列,第2埋入导体(9)的排列间隔越向外侧越大。
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公开(公告)号:CN1260814C
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN01134915.8
申请日:2001-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/50 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/4821 , H01L21/4828 , H01L21/566 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L24/28 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68318 , H01L2224/29007 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
Abstract: 一种导线框10,包括:框架部11;配置在框架部11与内侧内导线部14A之间,并在从框架部11延伸到内侧的同时,还在冲模垫部13的下面具有凸部14a的多个外侧内导线部14B。通过切断去掉冲模垫部13和内侧内导线部14A的支撑部分,使内侧内导线部14A与冲模垫部13绝缘。利用作为导线保持材料的粘附性胶带材料20来保持框架部11、多个内侧内导线部14A以及外侧内导线部14B的底面。从单层金属板就能比较容易地得到小型的、具有多行凸台结构的、特别是具有3行以上凸台的导线框。
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公开(公告)号:CN1779983A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200510108590.0
申请日:2005-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/18 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明的光学装置100,包括:形成实质垂直延伸贯通的开口部2的装置衬底10,覆盖开口部2的第1开口3的透光性构件6,覆盖开口部2的第2开口4并在与透光性构件6相对的面形成发射光或接收光的光学元件的光学元件芯片5,一部分埋入衬底10并具备与光学装置电性连接的第1端子部12a及与布线衬底电性连接的第2端子部13的导电部14,以及密封光学装置与第1端子部12a的电性连接部的密封剂7。并且,第1开口3的开口轮廓形状对第1开口3的大致中心点3b是非点对称。
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公开(公告)号:CN1622328A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN200410095625.7
申请日:2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/04 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1515 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/92247 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法,通过小片接合材料(7)使第一半导体元件(3)和第二半导体元件(8)粘接,在一侧的表面上有第三电极(2)和在另一侧的表面的周围部分有第四电极(12)的半导体载体上(1),利用倒装接合使所述第一半导体元件(3)的所述第一电极(6a)和所述第三电极(2)接合,利用引线接合通过金属细线(10)使第二半导体元件8的焊盘9和半导体载体(1)的第四电极(12)连接,将绝缘密封树脂(13)填入所述半导体载体(1)和第二半导体元件(8)之间的第一半导体元件(3)的周围及金属细线(10)的布线部,将该密封充填区域(13)的外形尺寸做成和第二半导体元件(8)几乎相同。
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公开(公告)号:CN1519928A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200310113857.6
申请日:2003-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48624 , H01L2224/4943 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01204 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19103 , H01L2924/19105 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/3512 , H01L2224/92247 , H01L2224/4554
Abstract: 在将2块半导体芯片层叠安装在布线基板上的结构中,在上侧的第2半导体芯片比下侧的第1半导体芯片充分大的情况下,提供了可改善连接第2半导体芯片与布线基板的金属细丝的连接可靠性的半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中,在用粘结剂粘结第1半导体芯片的背面与第2半导体芯片的背面的同时,粘结剂的侧部从第1半导体芯片的端部朝向第2半导体芯片的超出第1半导体芯片侧面的部分倾斜。因此,既可抑制因将第2半导体芯片电连接到布线基板上的对金属细丝的冲击而在第2半导体芯片中发生微裂痕,又可抑制发生金属细丝的键合不良。
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公开(公告)号:CN1499622A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN200310114177.6
申请日:2003-11-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/28 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供引线框及制造方法以及树脂密封型半导体器件及制造方法。树脂密封型半导体器件具备半导体芯片与述半导体芯片的电极组分别相连的多个内引线、以及密封上述半导体芯片和上述内引线的连接部的密封树脂。上述内引线在上述半导体芯片外周边的外侧的表面上,具有朝厚度方向突出的突出部,在上述突出部的侧部形成阶梯部。上述半导体芯片的电极组,通过导电性凸起与上述各内引线的上述突出部的内侧的内侧部分表面连接。上述密封树脂以密封上述半导体芯片以及上述导电性凸起、使上述突出部的表面露出的方式形成。可以缩小起到外部端子功能的突出部的表面尺寸,可以缩小外部端子间的节距。
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公开(公告)号:CN101039014B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200710005407.3
申请日:2007-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/83385 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322
Abstract: 本发明公开了一种光半导体装置。目的在于:提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内,以提高半导体激光的性能、可靠性,提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20,包括:半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
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