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公开(公告)号：CN100365809C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510009184.9
申请日：2005-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。
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公开(公告)号：CN101022098B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610143304.9
申请日：2006-11-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/10 , B23K20/004 , B23K20/10 , B23K35/002 , B23K35/0227 , B23K35/286 , B23K35/3601 , B23K2101/32 , B23K2101/40 , B23K2103/10 , B23K2103/18 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/85205 , H01L2224/8582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/0002
Abstract: 能够以低成本进行Si和Al的可靠连接。连接结构体(1)是Si电极(Si构件)(40)和Al引线(Al构件)(20)的连接结构体。在Si电极(40)和Al引线(20)之间夹装有第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)，第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)均与Si电极(40)相接，且与Al引线(20)相接。在第一部分(2)存在Si氧化物层(13)及Al氧化物层(23)，Si氧化物层(13)与Si电极(40)相接，Al氧化物层(23)介于Si氧化物层(13)和Al引线(20)之间。在第二部分(4、4…)存在Al，在第二部分(14、14…)存在Si部(14a)及Al部(14b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419955A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810125087.X
申请日：2008-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 水谷笃人
IPC: H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/48 , B81C1/00095 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/056 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2224/4879 , H01L2924/00 , H01L2224/4869 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明提供能将多晶硅膜键合焊盘与铝类金属丝稳定地进行金属丝键合的连接结构体和制造方法。本发明提供的连接结构体的结构为：在Si(4)上形成SiO2膜(5)，在SiO2膜(5)上形成BPSG膜(6)，在BPSG膜(6)上形成SiN膜(7)，在SiN膜(7)上形成多晶硅膜键合焊盘(1)，在多晶硅膜键合焊盘(1)上连接铝类金属丝(2)。多晶硅膜键合焊盘(1)的表面平均粗糙度在22nm以下，由于能减小多晶硅膜键合焊盘(1)的焊盘表面平均粗糙度(8)，因此，存在于铝类金属丝(2)与多晶硅膜键合焊盘(1)的连接面上的空隙变小，连接面积增加，能提高金属丝键合性。
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公开(公告)号：CN1917197B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610108481.3
申请日：2006-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/2007 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/28 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48455 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明是关于接合结构和接合方法的发明。本发明的目的在于提供一种成本低而又能使硅和铝的稳固接合成为可能的接合结构和接合方法。通过楔形挤压具(wedge tool)的使用，使铝导线向硅电极压紧，并施加超声波，从而使两者接合在一起。由此，在接合部，物质按照铝、铝氧化物、硅氧化物、硅的顺序重叠在一起，从而形成稳固的接合结构。
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公开(公告)号：CN101022098A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610143304.9
申请日：2006-11-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/10 , B23K20/004 , B23K20/10 , B23K35/002 , B23K35/0227 , B23K35/286 , B23K35/3601 , B23K2101/32 , B23K2101/40 , B23K2103/10 , B23K2103/18 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/85205 , H01L2224/8582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/0002
Abstract: 能够以低成本进行Si和Al的可靠连接。连接结构体(1)是Si电极(Si构件)(40)和Al引线(Al构件)(20)的连接结构体。在Si电极(40)和Al引线(20)之间夹装有第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)，第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)均与Si电极(40)相接，且与Al引线(20)相接。在第一部分(2)存在Si氧化物层(13)及Al氧化物层(23)，Si氧化物层(13)与Si电极(40)相接，Al氧化物层(23)介于Si氧化物层(13)和Al引线(20)之间。在第二部分(4、4…)存在Al，在第二部分(14、14…)存在Si部(14a)及Al部(14b)。
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公开(公告)号：CN1917197A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610108481.3
申请日：2006-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/2007 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/28 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48455 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明是关于接合结构和接合方法的发明。本发明的目的在于提供一种成本低而又能使硅和铝的稳固接合成为可能的接合结构和接合方法。通过楔形挤压具(wedge tool)的使用，使铝导线向硅电极压紧，并施加超声波，从而使两者接合在一起。由此，在接合部，物质按照铝、铝氧化物、硅氧化物、硅的顺序重叠在一起，从而形成稳固的接合结构。
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公开(公告)号：CN1652329A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510009184.9
申请日：2005-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L22/32 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。
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