公开(公告)号：CN100438025C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410062094.1

申请日：2004-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井良之 ,  油井隆 ,  伊藤史人 ,  矢口安武 ,  赤星年隆

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种包括具有电极焊盘的基板(10)，通过第1粘接层(11)倒装片安装在基板上的第1半导体芯片(12)，通过第2粘接层(13)搭载在第1半导体芯片的上段、具有电极焊盘的第2半导体芯片(14)，电连接第2半导体芯片的电极焊盘与基板的电极焊盘的金属线(15)，以及密封第1和第2半导体芯片、金属线的模制树脂(16)；第1粘接层在第1半导体芯片的外边缘形成倒角的半导体装置。第1半导体芯片使其中心轴偏离基板的中心轴地配置，该偏离使第1半导体芯片向与倒角突出第1半导体芯片的外边缘的长度为最大的一边相对的边偏移地设置。抑制由粘接剂形成的倒角产生的影响，使装置小型化并提高批量生产性。

公开(公告)号：CN101404270A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810092713.X

申请日：2008-04-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤星年隆

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L21/48 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法和半导体基板。为了将半导体器件进行一次成型，在半导体基板中，在表面具有第1电极组，在背面具有与外部电极端子连接的第2电极组，同时具有多个半导体元件安装区域203，沿着划分多个半导体元件安装区域203的划分线202，在该划分线202上的表面侧形成凹下部分205。

公开(公告)号：CN1835230A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610068170.9

申请日：2006-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤星年隆

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/36 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明揭示一种叠层型半导体装置，在第2半导体基板(5)的背面上，形成以安装在与该背面侧相邻近的半导体装置(3)上的第1半导体元件(1)接触的状态配置的放热用的金属图案(12)，在半导体基板(2、5)周边附近的地方，形成贯通厚度方向传递热量的贯通路径(14、15)，在所述半导体基板(5)的背面，使贯通路径(14)与放热用的金属图案(12)连接，设置跨越半导体装置(3、6)之间的焊锡珠(11)，利用该焊锡珠(11)使传递到半导体装置(6)的金属图案(12)的热量传递到与设置该金属图案(12)的半导体装置(6)的背面侧邻近的半导体装置3的贯通路径(15)。

公开(公告)号：CN100487904C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200610067959.2

申请日：2006-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤星年隆

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/16 ,  H04N5/2257

Abstract: 在埋设于基座(2)中的金属配线(7)上形成有在基座(2)上面的内部端子部(8)与外部端子部(9)之间的部位露出的金属露出部(12)。由此，在外部端子部(9)上未装设焊球的场合，即使在制造途中的工序中析出物从密封树脂沿基座(2)的上面流出的场合，也能利用金属露出部(12)阻挡该析出物而起到防波堤的作用，能防止析出物覆盖在外部端子部(9)上。

公开(公告)号：CN1835246A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610067959.2

申请日：2006-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤星年隆

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/16 ,  H04N5/2257

Abstract: 在埋设于基座(2)中的金属配线(7)上形成有在基座(2)上面的内部端子部(8)与外部端子部(9)之间的部位露出的金属露出部(12)。由此，在外部端子部(9)上未装设焊球的场合，即使在制造途中的工序中析出物从密封树脂沿基座(2)的上面流出的场合，也能利用金属露出部(12)阻挡该析出物而起到防波堤的作用，能防止析出物覆盖在外部端子部(9)上。

公开(公告)号：CN1622328A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095625.7

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤谷尚树 ,  伊藤史人 ,  赤星年隆 ,  福田敏行

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，通过小片接合材料(7)使第一半导体元件(3)和第二半导体元件(8)粘接，在一侧的表面上有第三电极(2)和在另一侧的表面的周围部分有第四电极(12)的半导体载体上(1)，利用倒装接合使所述第一半导体元件(3)的所述第一电极(6a)和所述第三电极(2)接合，利用引线接合通过金属细线(10)使第二半导体元件8的焊盘9和半导体载体(1)的第四电极(12)连接，将绝缘密封树脂(13)填入所述半导体载体(1)和第二半导体元件(8)之间的第一半导体元件(3)的周围及金属细线(10)的布线部，将该密封充填区域(13)的外形尺寸做成和第二半导体元件(8)几乎相同。

公开(公告)号：CN1577841A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062094.1

申请日：2004-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井良之 ,  油井隆 ,  伊藤史人 ,  矢口安武 ,  赤星年隆

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种包括具有电极焊盘的基板(10)，通过第1粘接层(11)倒装片安装在基板上的第1半导体芯片(12)，通过第2粘接层(13)搭载在第1半导体芯片的上段、具有电极焊盘的第2半导体芯片(14)，电连接第2半导体芯片的电极焊盘与基板的电极焊盘的金属线(15)，以及密封第1和第2半导体芯片、金属线的模制树脂(16)；第1粘接层在第1半导体芯片的外边缘形成倒角的半导体装置。第1半导体芯片使其中心轴偏离基板的中心轴地配置，该偏离使第1半导体芯片向与倒角突出第1半导体芯片的外边缘的长度为最大的一边相对的边偏移地设置。抑制由粘接剂形成的倒角产生的影响，使装置小型化并提高批量生产性。