公开(公告)号：CN105374701A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510859451.5

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  郑明达 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L21/60 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L21/288 ,  C25D7/123 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

Abstract: 本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善，且观察到空隙显著的减少。再者，界面变得更加平滑。因此，相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中，本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration,EM)性能提升，因此提升其可靠度。

公开(公告)号：CN102768964B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210135698.9

申请日：2012-05-03

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： M.科克 ,  R.埃塞勒

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/568 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及一种借助下述步骤制造半导体部件的方法：制造晶片（2），-将部件（1）的结构施加在晶片（2）上从而形成晶片组件，将金属涂层（5）施加在晶片（2）上，移除部件（1）的非接触区域的金属涂层（5），将围绕层施加在部件（1）的边缘区域上，将晶片（2）布置在由夹持环保持的薄片（4）上，将由薄片（4）承载的晶片组合物（1）的部件彼此分离开，将遮盖的掩模（3）布置在由薄片（4）承载的分离的部件（1）的未被涂布的区域上，将金属涂层（5）施加在由掩模（3）遮盖的分离的部件（1）上，移除掩模（3），以及从薄片（4）移除部件（1）并且进一步处理分离的部件（1）。

公开(公告)号：CN105047629A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510390848.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张恕铭 ,  黄田昊

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种影像感测元件封装构件及其制作方法，该影像感测元件封装构件，其包含有：一影像感测晶粒，其具有一主动面以及相对于该主动面的一背面，且在该主动面上设有一影像感测元件区域以及一外接垫；一直通硅晶穿孔结构，贯穿该影像感测晶粒，连接该外接垫；多层重布线路，形成在该像感测晶粒的该背面上；以及一防焊层，覆盖在该多层重布线路上。

公开(公告)号：CN102347288B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201010597690.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  刘醇鸿 ,  唐修敏 ,  陈英儒 ,  邵栋梁 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。

公开(公告)号：CN103219293A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210193236.2

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢思维 ,  王英达 ,  郭立中 ,  林俊成

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种方法包括：在第三封装元件的顶面上接合第一封装元件和第二封装元件；及分配聚合物。该聚合物包括：位于第一封装元件和第三封装元件之间的间隔中的第一部分；位于第二封装元件和第三封装元件之间的间隔内的第二部分；及位于第一封装元件和第二封装元件之间的间隔内的第三部分。然后对聚合物实施固化工艺。在固化工艺之后，切割聚合物的第三部分以在第一封装元件和第二封装元件之间形成沟槽。本发明还提供了在封装工艺中切割底部填充物。

公开(公告)号：CN103107157A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210460136.1

申请日：2012-11-15

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 詹渊儒

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，设置于该基底之中或之上；一第一导电垫及堆叠于其上的一第二导电垫，设置于该基底之中或该第一表面上，其中该第一导电垫及该第二导电垫电性连接该元件区，且该第一导电垫设置于该第二导电垫与该基底之间；一孔洞，自该基底的该第二表面朝该第一表面延伸；一导线层，设置于该基底的该第二表面上，且沿着该孔洞的一侧壁朝该基底的该第一表面延伸而电性接触该第二导电垫；以及一绝缘层，设置于该基底与该导线层之间。本发明可提升晶片封装体的品质。

公开(公告)号：CN103107153A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210461277.5

申请日：2012-11-15

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘沧宇 ,  郑家明

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/585 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面、相反的一第二表面及连接该第一表面及该第二表面的一侧面；一介电层，位于该基底的该第一表面上；多个导电垫，至少包括一第一导电垫及一第二导电垫，位于该介电层中；多个开口，自该基底的该第二表面朝该第一表面延伸，且分别露出对应的所述导电垫，其中所述开口中的一第一开口及所述开口中的与该第一开口相邻的一第二开口分别露出该第一导电垫及该第二导电垫，且朝向该基底的该侧面延伸而超出该第一导电垫及该第二导电垫；以及一第一线路层及一第二线路层，位于该基底的该第二表面上，且延伸进入该第一开口及该第二开口而分别电性接触该第一导电垫及该第二导电垫。

公开(公告)号：CN103026483A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036336.8

申请日：2011-07-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·G·法鲁奇 ,  R·汉昂 ,  R·P·沃兰特

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种不受由于后侧平坦化工艺所致的金属污染影响的贯穿衬底过孔(TSV)结构。在形成贯穿衬底过孔(TSV)沟槽之后，扩散阻挡衬垫保形地沉积于TSV沟槽的侧壁上。通过在扩散阻挡衬垫的竖直部分上沉积电介质材料来形成电介质衬垫。通过随后填充TSV沟槽来形成金属传导过孔结构。去除扩散阻挡衬垫的水平部分。扩散阻挡衬垫在后侧平坦化期间通过阻止源于金属传导过孔结构的残留金属材料进入衬底的半导体材料来保护衬底的半导体材料，由此保护衬底内的半导体器件免受金属污染。

公开(公告)号：CN102768964A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210135698.9

申请日：2012-05-03

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： M.科克 ,  R.埃塞勒

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/568 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及一种借助下述步骤制造半导体部件的方法：制造晶片（2），将部件（1）的结构施加在晶片（2）上从而形成晶片组件，将金属涂层（5）施加在晶片（2）上，移除部件（1）的非接触区域的金属涂层（5），将围绕层施加在部件（1）的边缘区域上，将晶片（2）布置在由夹持环保持的薄片（4）上，将由薄片（4）承载的晶片组合物（1）的部件彼此分离开，将遮盖的掩模（3）布置在由薄片（4）承载的分离的部件（1）的未被涂布的区域上，将金属涂层（5）施加在由掩模（3）遮盖的分离的部件（1）上，移除掩模（3），以及从薄片（4）移除部件（1）并且进一步处理分离的部件（1）。

公开(公告)号：CN102637610A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210029734.3

申请日：2012-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O.艾兴格 ,  A.海因里希 ,  K.勒斯尔

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27426 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83898 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及用于在载体上安装半导体芯片的方法。一种方法包括提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少1μm的粗糙度。将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体。以第一主表面的每mm2的表面积至少1牛顿的压力将半导体芯片按压在所述载体上，并且对焊料施加热量。