公开(公告)号：CN103579381A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310153861.9

申请日：2013-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱怡欣 ,  林政道 ,  万孟勋 ,  陈思莹 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/301 ,  H01L27/307

Abstract: 具有串扰隔离的抬升式光电二极管。一种器件包括多个隔离间隔件和多个底电极，其中多个底电极中相邻的底电极通过多个隔离间隔件中的相应隔离间隔件互相绝缘。多个光电转换区与多个底电极叠置，其中多个光电转换区中的相邻的光电转换区通过多个隔离间隔件中的相应隔离间隔件互相绝缘。顶电极覆在多个光电转换区和多个隔离间隔件上面。

公开(公告)号：CN103579377A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310153809.3

申请日：2013-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万孟勋 ,  朱怡欣 ,  陈思莹 ,  陈保同 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/18 ,  H04N5/378

Abstract: 一种器件包括：具有形成在其中的抬升式光电二极管的图像传感器芯片、以及位于图像传感器芯片下方并且接合至图像传感器芯片的器件芯片。该器件芯片具有电连接至抬升式光电二极管的读出电路。本发明还提供了一种具有堆叠配置的抬升式光电二极管。

公开(公告)号：CN103489883A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310134088.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  施宇豪 ,  王志谦 ,  周世培 ,  黄为栋 ,  吴政达

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。

公开(公告)号：CN103426890A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210309512.7

申请日：2012-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  王文德

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。

公开(公告)号：CN103390625A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210519818.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。

公开(公告)号：CN103378114A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310020044.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种用于减小图像传感器中的串扰的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆中形成隔离区域，其中，该隔离区域包围着光电有源区域，在该光电有源区域中从背照式图像传感器晶圆的背面形成开口，并且利用介电材料覆盖该开口的上端，从而形成了嵌在背照式图像传感器晶圆的隔离区域中的气隙。本发明还提供了一种减少图像传感器中的串扰的设备和方法。

公开(公告)号：CN102347338B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201110038171.X

申请日：2011-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  庄俊杰 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种含背照式图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该图像感测元件包含基底，具有正面以及相对于正面的背面，图像感测元件也包含形成于基底内的辐射检测元件，辐射检测元件用于检测经由背面进入基底的辐射波，图像感测元件还包含深沟槽隔绝特征，其设置邻接辐射检测元件，图像感测元件还包含掺杂层，其以顺应性的方式至少部分地围绕深沟槽隔绝特征。本发明的优点之一为降低图像感测元件内的串音干扰。

公开(公告)号：CN102915991A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110353065.0

申请日：2011-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11916 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。

公开(公告)号：CN102790059A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210008175.8

申请日：2012-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林政贤 ,  何承颖

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102790058A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。