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公开(公告)号：CN101853872B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010158451.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域，其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度，第一厚度为第一折射系数的函数。图像传感器具有一形成于第一层上的第二层。第二层不同于第一层并具有一第二折射系数及一第二厚度，第二厚度为第二折射系数的函数。本发明可以将像素对于辐射的吸收最佳化。
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公开(公告)号：CN101281928B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810005300.3
申请日：2008-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L27/146 , H01L31/08 , H01L31/0248
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14689 , H01L27/14812
Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括硅基材、形成于硅基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。
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公开(公告)号：CN101783319B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910211246.2
申请日：2009-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L24/82 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/14 , H01L2924/30105
Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。
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公开(公告)号：CN102005464A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010272246.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L28/40
Abstract: 一种背照式图像传感器包括半导体衬底，具有正面和背面；传感器元件，上覆半导体衬底的正面而形成；以及电容器，上覆传感器元件而形成。
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公开(公告)号：CN119421636A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411315211.4
申请日：2024-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置的制造方法，所述方法包括：沉积硬质掩模材料的第一层于介电材料的层之上；蚀刻硬质掩模材料的第一层，硬质掩模材料的被蚀刻的第一层包括具有第一侧向尺寸的被蚀刻部分；沉积硬质掩模材料的第二层于硬质掩模材料的第一层之上；蚀刻硬质掩模材料的第二层的至少一部分，同时允许留下硬质掩模材料的剩余部分，以暴露出介电材料的层的具有小于第一侧向尺寸的第二侧向尺寸的部分；以及在介电材料的层的暴露部分处蚀刻出进入介电材料的层中的沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117096168A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310783756.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/71 , H04N25/76
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。光电探测器分别设置在多个像素区域内。浮动扩散节点沿着多个像素区域的中间区域处的衬底的前侧表面设置。多个阱区域设置在多个像素区域的拐角处的衬底内。隔离结构延伸到衬底的背侧表面中。隔离结构包括设置在相邻像素区域之间的多个伸长隔离组件、与浮动扩散节点对准的中间隔离组件以及与多个阱区域对准的多个外围隔离组件。伸长隔离组件具有第一高度，并且中间隔离组件和外围隔离组件具有小于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN116632019A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310313550.8
申请日：2023-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间。第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。
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公开(公告)号：CN116564983A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310231796.0
申请日：2023-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN115224056A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210114063.4
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器的背侧上的沟槽隔离结构内的金属栅格耦接至接触焊盘，使得金属栅格上的电压随着接触焊盘上的电压连续变化。一个或多个导电结构将金属栅格直接耦接至接触焊盘。导电结构可以绕过图像传感器的前侧。金属栅格上的偏置电压可以通过接触焊盘改变，由此可以根据图像传感器的应用、其使用环境或其操作模式动态调整减少串扰和增加量子效率之间的权衡。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109841574B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810067968.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。
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