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公开(公告)号：CN105390381B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510688559.2
申请日：2011-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8238 , C23C16/06 , C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/455
Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。
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公开(公告)号：CN107429393A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580054256.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 崔安青 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 维卡斯·詹格拉 , 穆罕默德·M·拉希德 , 唐薇 , 杨义雄 , 枭雄·袁 , 夫景浩 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 雨·常 , 威廉·W·光
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分；第一加热元件，第一加热元件加热所述中央通道；第二加热元件，第二加热元件加热盖板的底表面；远程等离子体源，远程等离子体源流体地耦接至中央通道；及隔离套管，隔离套管耦接在远程等离子体源与外壳之间，其中隔离套管具有内通道，内通道延伸穿过隔离套管以流体地耦接远程等离子体源及中央通道。
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公开(公告)号：CN104205302B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380014720.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫热里诺·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷宇 , 付新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 尚浩·于 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/02057 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/4846 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L29/66621
Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN105256276A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510564706.5
申请日：2011-06-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 曹勇 , 唐先民 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 伟·D·王 , 刘振东 , 凯文·莫雷斯 , 穆罕默德·M·拉希德 , 清·X·源 , 阿南塔克里希纳·朱普迪
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28079 , C23C14/165 , C23C14/345 , C23C14/35 , H01L21/28088 , H01L21/2855 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。
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公开(公告)号：CN104737275A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN102939657A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180030291.3
申请日：2011-06-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 曹勇 , 唐先民 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 伟·D·王 , 刘振东 , 凯文·莫雷斯 , 穆罕默德·M·拉希德 , 清·X·源 , 阿南塔克里希纳·朱普迪
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/28079 , C23C14/165 , C23C14/345 , C23C14/35 , H01L21/28088 , H01L21/2855 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。
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公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN115244212B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202180018843.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/04 , G02B5/08 , G02B1/02
Abstract: 本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。
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公开(公告)号：CN113463066B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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公开(公告)号：CN116918070A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280013713.4
申请日：2022-02-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/49
Abstract: 一种在基板上的金属栅极堆叠包括：在基板上的界面层；在界面层上的高K金属氧化物层，高κ金属氧化物层包括邻接界面层的偶极区，偶极区包括铌(Nb)；在高κ金属氧化物层上的高κ金属氧化物盖层；在高κ金属氧化物盖层之上的正金属氧化物半导体(PMOS)功函数材料；及在PMOS功函数材料之上的栅极电极。通过驱使Nb基膜的Nb物种进入高K金属氧化物层以形成偶极区而形成偶极区。
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