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公开(公告)号：CN100401477C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510000042.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28097 , H01L21/28518 , H01L29/4975 , H01L29/66507 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。
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公开(公告)号：CN1269190C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02152212.X
申请日：2002-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种制作接触孔于硅化镍栅极层上方的方法，其特征是利用物理性蚀刻以克服公知工序中高活性的硅化镍栅极层与蚀刻剂发生反应的问题。方法一，不一次完全去除蚀刻终止层，而残留一厚度极薄的蚀刻终止层，以物理性蚀刻方式去除残留蚀刻终止层，蚀刻气体便不会与硅化镍栅极层发生反应。方法二，新引用一蚀刻缓冲层于蚀刻终止层与硅化镍栅极层之间，再利用物理性蚀刻方式去除蚀刻缓冲层，同样地，蚀刻气体便不会与硅化镍栅极层发生反应。
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公开(公告)号：CN1783477A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510074901.6
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/02129 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/28562 , H01L21/31625 , H01L23/482 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：一基底；至少一晶体管，位于该基底上；一介电层，覆盖该晶体管且具有一开口，露出该晶体管的一主动区；一氮化钽阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层是原子层沉积而成且具有少于20埃的厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明所述半导体装置及其制造方法可有效防止如铜扩散的金属扩散问题。
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公开(公告)号：CN1755928A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510102901.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L27/11 , H01L21/768 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76816 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及半导体元件的连接结构，所述半导体元件的连接结构包括一花生状的开口。花生状的开口包括窄区域和宽区域，其中窄区域是位于两宽区域之间或位于多个宽区域的其中两者之间。一导电插塞至少部分填入花生状开口。本发明所述半导体元件及半导体元件的连接结构，可改进现有技术接触开口制程微缩所产生的问题。
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公开(公告)号：CN1680950A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410058423.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/60
CPC classification number: G06Q10/06 , G06Q10/06315 , G06Q10/087 , Y02P90/20
Abstract: 一种用于晶片制造厂的供应链管理的新商业模式，与具有机器时间准确度的需求与产能管理系统及方法。系统包括配置计划模块、订单管理模块、产能模型与产能管理模块。配置计划模块接收相应产品的需求计划。产能管理模块依据产能模型将需求计划转换为以机器时间基础的计划，并依据机器时间基础计划保留产能给此需求计划。订单管理模块更可在截止日期之前接收相应此产品的采购订单，将其转换为机器时间基础订单，并依据机器时间基础订单扣除其事先保留的产能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106711217B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201610707220.7
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113889573A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110168187.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。该MIM电容器包括布置在半导体衬底上方的底部电极。顶部电极布置在底部电极上方并位于该底部电极上面。电容器绝缘体结构布置在底部电极与顶部电极之间。该电容器绝缘体结构包括彼此垂直堆叠的至少三个介电结构。就所述介电结构的介电材料而言，该电容器绝缘体结构的下半部是其上半部的镜像。本申请的实施例还涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。
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公开(公告)号：CN107301951B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201611096470.8
申请日：2016-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/04
Abstract: 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定 方向。沿着垂直于 方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113130814A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010805569.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
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