公开(公告)号：CN113130814B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202010805569.0

申请日：2020-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佳桦 ,  张耀文 ,  吴启明 ,  蔡正原 ,  逸群·陈 ,  蔡子中

IPC: H10K50/856

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

公开(公告)号：CN113130814A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010805569.0

申请日：2020-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佳桦 ,  张耀文 ,  吴启明 ,  蔡正原 ,  逸群·陈 ,  蔡子中

IPC: H01L51/52

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。