公开(公告)号：CN107301951A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201611096470.8

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  萧茹雄 ,  陈弘斌 ,  薛森鸿 ,  郑志成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定 方向。沿着垂直于 方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN107437564A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710145590.0

申请日：2017-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈弘斌 ,  郑志成 ,  萧茹雄 ,  陈力毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L2029/7857 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置，包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层。第二半导体层堆叠于第一半导体层上且接触第一半导体层。

公开(公告)号：CN107301951B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201611096470.8

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  萧茹雄 ,  陈弘斌 ,  薛森鸿 ,  郑志成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定 方向。沿着垂直于 方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。