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公开(公告)号：CN107293620A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
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公开(公告)号：CN105938864A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/20
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
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公开(公告)号：CN105742421A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610253384.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/42
Abstract: 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P?GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N?GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P?GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P?GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N?GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P?GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。
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公开(公告)号：CN104979433A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410147451.8
申请日：2014-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有新电极结构的四元系发光二极管的制作方法，包括以下步骤：一，在基板上生长发光结构，该发光结构表层为高掺杂的GaP，掺杂浓度大于1.0E19；二，在发光结构上制作第一电极，第一电极材料为铝或/和钛金属材料；三，在发光结构上通过曝光、显影及蚀刻工艺制作电极图形；四，通过热处理方式使第一电极与发光结构融合，热处理温度介于200℃-1000℃；五，在基板另一面制作第二电极。本发明用不含黄金的电极结构取代有贵金属黄金组成的电极结构，可以降低电极材料使用成本。
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公开(公告)号：CN119997689A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510217243.9
申请日：2025-02-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/856 , H10H20/84 , H10H20/01 , H10H29/30
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在DBR层背离衬底的一侧设置堆叠膜层，所述堆叠膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层第一膜层，N≥2，且N为正整数；其中第i层第一膜层的折射率大于第i+1层第一膜层的折射率，N＞i≥1，且i为正整数。换言之，在DBR层上设置折射率逐渐减小的N层第一膜层，使得光在通过内部界面时进行多次反射与透射，进一步增强了对内部光的反射作用，进而对DBR层在大角度掠射情况下反射较差的情况进行改善，提高DBR层对大角度入射的光的反射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109192830B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810784329.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。
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公开(公告)号：CN108831976B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810783043.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
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公开(公告)号：CN116243558A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310245841.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/004 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2/金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116065124A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211685513.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN115938988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535831.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
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