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公开(公告)号：CN106129219B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN106410006B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N‑GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N‑GaN电子供给层和U‑GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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公开(公告)号：CN105932137B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
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公开(公告)号：CN106025007B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610557362.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105762264B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610273817.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105304782B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510649958.8
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。本发明可以提高电流扩展效果，进而提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105428474B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
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公开(公告)号：CN105355767B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912074.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。
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公开(公告)号：CN104332537B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410551529.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104241480B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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