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公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN114975714A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210576979.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括：衬底，外延结构，N型电极和N型电极扩展部分，P型电极和P型电极扩展部分；P型电极扩展部分为与P型电极连接的若干P型电极扩展条，各P型电极扩展条的宽度范围小于有源区发光波长，各P型电极扩展条形成相互交叉的网格，通过衍射效应可以使被P型电极扩展条遮挡住的光子绕过P型电极扩展条，然后通过网格缝隙出射，使P型电极扩展条相当于无遮挡出光，避免LED光的损耗；同时，网格覆盖在P型半导体层上的设置可以使注入的电流更均匀的分布于整个有源区；再者，有源区发光波长为λ，各网格缝隙的宽度范围在0至3λ之间，能最大程度提取有源区的光，进而提升LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN106410006B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N‑GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N‑GaN电子供给层和U‑GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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公开(公告)号：CN106410006A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N-GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N-GaN电子供给层和U-GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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公开(公告)号：CN115425129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211120718.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114744087A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210527150.2
申请日：2022-05-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘。基于此，解决了大驱动电流所导致的电流拥挤现象，并有效提高LED的外量子效率。同时，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接，可有效解决电极的脱落问题，提高LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114695617A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210454389.1
申请日：2022-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所述第一型扩展电极与其余所述第二型扩展电极交替分配于所述中间扩展电极的两侧。从而，当电流经所述第二电极(即P电极)流入后优先通过所述中间扩展电极，快速实现电子与空穴的辐射复合发光；同时，通过所述第二电极的中间扩展电极两侧交替且均匀配置所述第一型扩展电极与第二型扩展电极，能够缓和电流在所述中间扩展电极集中的趋势，使电流在发光台面均匀地扩散。
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公开(公告)号：CN115332413A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211069531.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114843385A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210570623.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过在MQW层和电子阻挡层之间设有最后一个量子垒层，且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区，以避免电子与空穴在非MQW区域进行复合发光。
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公开(公告)号：CN218351494U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202222440257.1
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种多色LED芯片，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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