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公开(公告)号：CN116314521A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214159.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
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公开(公告)号：CN115332413A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211069531.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114843385A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210570623.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过在MQW层和电子阻挡层之间设有最后一个量子垒层，且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区，以避免电子与空穴在非MQW区域进行复合发光。
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公开(公告)号：CN118676281A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410795595.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN117153970A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311257508.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，垂直结构LED芯片包括水平设置于导电基板一侧的两个垂直发光结构，两个垂直发光结构彼此反向并联连接，用于连接到交流电源中使用，或用于垂直结构LED芯片的反向电压保护；既拓宽了LED的应用，使LED供电系统从直流驱动到交流驱动，又避免在实际应用时由于LED器件的电压极性接反被反向击穿，导致不能正常工作的危险；又省去了变压器、桥式整流器等，降低了在交流电下工作时LED光源器件的制作成本；且，垂直结构LED芯片在直流电下工作时或在接触外界带的静电时，两个垂直发光结构互为彼此的静电释放通道，可用来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741906A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310520108.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
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公开(公告)号：CN114744087A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210527150.2
申请日：2022-05-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘。基于此，解决了大驱动电流所导致的电流拥挤现象，并有效提高LED的外量子效率。同时，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接，可有效解决电极的脱落问题，提高LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114695617A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210454389.1
申请日：2022-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所述第一型扩展电极与其余所述第二型扩展电极交替分配于所述中间扩展电极的两侧。从而，当电流经所述第二电极(即P电极)流入后优先通过所述中间扩展电极，快速实现电子与空穴的辐射复合发光；同时，通过所述第二电极的中间扩展电极两侧交替且均匀配置所述第一型扩展电极与第二型扩展电极，能够缓和电流在所述中间扩展电极集中的趋势，使电流在发光台面均匀地扩散。
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公开(公告)号：CN120035281A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510340467.9
申请日：2025-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/821 , H10H20/01 , H10H20/84 , H10H20/831 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。
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公开(公告)号：CN116995149A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749068.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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