公开(公告)号：CN120035281A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510340467.9

申请日：2025-03-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 曲晓东 ,  谭桂英 ,  陈凯轩 ,  杨克伟 ,  赵斌 ,  江土堆 ,  程桢 ,  尤翠萍 ,  费云瑞

IPC: H10H20/821 ,  H10H20/01 ,  H10H20/84 ,  H10H20/831 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。

公开(公告)号：CN119050234A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411318844.0

申请日：2024-09-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 杨克伟 ,  尤翠萍 ,  曲晓东 ,  赵斌 ,  江土堆 ,  程桢 ,  罗桂兰 ,  陈凯轩

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响出光效果的同时能提高介质膜层、金属反射层及欧姆接触层三者之间的粘附效果,避免因金属反射镜与介质膜层之间的粘附性差造成外延脱落的问题，可用来提高芯片的可靠性和稳定性，进而提高LED芯片良率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

公开(公告)号：CN119967960A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510302286.7

申请日：2025-03-14

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 程桢 ,  陈凯轩 ,  曲晓东 ,  杨克伟 ,  江土堆

IPC: H10H20/819 ,  H10H20/855 ,  H10H20/841 ,  H10H20/814 ,  H10H20/82 ,  H10H20/856 ,  H10H20/01

Abstract: 一种垂直结构LED芯片及其制作方法，垂直结构LED芯片包括基板以及位于基板一侧表面的键合金属层和第一绝缘层、第二反射结构和外延叠层。外延叠层包括沿背离基板的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；外延叠层设有至少贯穿第一型半导体层和有源层，并暴露部分第二型半导体层的通孔；在第二型半导体层背离有源层的一侧表面设有与通孔对应的凸台。通过在设置与通孔对应的凸台，使得LED芯片的出光在通孔区域的散射更加充分，提高LED芯片的出光效率，提高LED芯片在通孔区域的亮度。

公开(公告)号：CN117542944A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311706858.5

申请日：2023-12-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 杨克伟 ,  尤翠萍 ,  曲晓东 ,  赵斌 ,  江土堆 ,  程桢 ,  陈凯轩

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/46 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层；其中，防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射结构与通孔反射结构形成合金或渗透到通孔反射结构的表面，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。