公开(公告)号：CN120035281A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510340467.9

申请日：2025-03-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 曲晓东 ,  谭桂英 ,  陈凯轩 ,  杨克伟 ,  赵斌 ,  江土堆 ,  程桢 ,  尤翠萍 ,  费云瑞

IPC: H10H20/821 ,  H10H20/01 ,  H10H20/84 ,  H10H20/831 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。

公开(公告)号：CN118033979A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410357080.X

申请日：2024-03-27

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 曲晓东 ,  谭桂英 ,  陈凯轩 ,  李敏华 ,  崔恒平 ,  江土堆 ,  赵斌 ,  杨克伟

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明提供一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制造方法，本发明的复合膜层通过在光刻胶层内部或者至少一侧表面设置图形化的波长转换部，用第一光源照射波长转换部后，波长转换部激发形成比第一光源波长更短的第二光源对光刻胶层进行图案化曝光，不仅在曝光光刻胶层时可以免去掩模版的使用，而且波长转换部吸收第一光源激发出波长更短的第二光源曝光光刻胶层，能够提高光刻精度。光刻方法及系统采用上述的复合膜层实现光刻胶层的图案化。LED芯片及其制造方法采用上述光刻系统实现光刻胶层的图案化。