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公开(公告)号：CN116314521A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214159.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
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公开(公告)号：CN115411162A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211175513.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN113724616A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111025894.6
申请日：2021-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板实现两组LED阵列的串联，可减少电极引线数量，使得LED芯粒的间距做得更小，从而可在受限的面板上集成更多的LED芯粒，最终得以提高显示装置的分辨率。且，可灵活控制第一LED阵列和第二LED阵列所对应的电信号及导电面板的控制信号，通过不同的控制方式实现双面同步显示或双面异步显示或单面显示的显示效果。
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公开(公告)号：CN113036011A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110234520.9
申请日：2021-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩膜版，在DE刻蚀时完成对外延结构的干法粗化。相对于粗化与DE刻蚀进行分离的传统工艺，此发明将DE刻蚀与粗化相结合，在DE刻蚀的同时对图形进行粗化，可以显著提升效率。同时，对产品匀双层胶，可以通过光刻板图形以及曝光工艺对第一层胶的图形和倾斜角度进行调节，从而对最终的粗化形貌进行调整。
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公开(公告)号：CN111564543B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010396450.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压发光二极管呈成垂直结构，使得高压发光二极管芯片的电流扩展较好，可避免电流的横向拥堵问题，从而提高电流耐受能力；此外，所述第k连接电极通过所述凸起台面连接第k芯片区的第一类型导电层和与第k+1芯片区接触的子背面电极，可增大金属与第一型半导体层的接触面积，从而降低接触电阻，同时可增大电流注入的面积，进一步地降低了高压发光二极管芯片的工作电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261766A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010069720.9
申请日：2020-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供带有第一电极和第二电极的倒装LED芯片结构和具有第一导电层和第二导电层的导电衬底，其中，导电衬底的面积比倒装LED芯片的面积大，从而使第一电极与第一导电层对应电性连接，第二电极与第二导电层对应电性连接，其中，第二导电层的面积大于第二电极的面积，第二导电层与第二电极连接的区域之外的区域作为第二电极层，用于与外部电路电性连接。通过上述制备方法形成的倒装薄膜LED芯片结构，即保证了LED芯片最大化的发光面积；还能够对去除生长衬底的表面进行粗化处理，从而改善LED芯片的发光分布以及进一步提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN119967960A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510302286.7
申请日：2025-03-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/819 , H10H20/855 , H10H20/841 , H10H20/814 , H10H20/82 , H10H20/856 , H10H20/01
Abstract: 一种垂直结构LED芯片及其制作方法，垂直结构LED芯片包括基板以及位于基板一侧表面的键合金属层和第一绝缘层、第二反射结构和外延叠层。外延叠层包括沿背离基板的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；外延叠层设有至少贯穿第一型半导体层和有源层，并暴露部分第二型半导体层的通孔；在第二型半导体层背离有源层的一侧表面设有与通孔对应的凸台。通过在设置与通孔对应的凸台，使得LED芯片的出光在通孔区域的散射更加充分，提高LED芯片的出光效率，提高LED芯片在通孔区域的亮度。
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公开(公告)号：CN118676281A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410795595.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN117691009A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311789097.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过腐蚀或刻蚀的方法实现所述导电衬底的分割，或者采用图形化电镀的方法直接沉积相互分割所述导电衬底，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。
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公开(公告)号：CN117153970A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311257508.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，垂直结构LED芯片包括水平设置于导电基板一侧的两个垂直发光结构，两个垂直发光结构彼此反向并联连接，用于连接到交流电源中使用，或用于垂直结构LED芯片的反向电压保护；既拓宽了LED的应用，使LED供电系统从直流驱动到交流驱动，又避免在实际应用时由于LED器件的电压极性接反被反向击穿，导致不能正常工作的危险；又省去了变压器、桥式整流器等，降低了在交流电下工作时LED光源器件的制作成本；且，垂直结构LED芯片在直流电下工作时或在接触外界带的静电时，两个垂直发光结构互为彼此的静电释放通道，可用来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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