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公开(公告)号：CN116314521A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214159.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
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公开(公告)号：CN115411162A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211175513.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN113724616A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111025894.6
申请日：2021-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板实现两组LED阵列的串联，可减少电极引线数量，使得LED芯粒的间距做得更小，从而可在受限的面板上集成更多的LED芯粒，最终得以提高显示装置的分辨率。且，可灵活控制第一LED阵列和第二LED阵列所对应的电信号及导电面板的控制信号，通过不同的控制方式实现双面同步显示或双面异步显示或单面显示的显示效果。
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公开(公告)号：CN113036011A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110234520.9
申请日：2021-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩膜版，在DE刻蚀时完成对外延结构的干法粗化。相对于粗化与DE刻蚀进行分离的传统工艺，此发明将DE刻蚀与粗化相结合，在DE刻蚀的同时对图形进行粗化，可以显著提升效率。同时，对产品匀双层胶，可以通过光刻板图形以及曝光工艺对第一层胶的图形和倾斜角度进行调节，从而对最终的粗化形貌进行调整。
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公开(公告)号：CN110085619B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910360845.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积较大；以及，第一芯片区的背面电极不需要打线，节省了成本，提高了可靠性；另外，每一芯片区电流扩展都为垂直方向，且第一芯片区的背面电极与第N芯片区的正面电极形成垂直结构，使得垂直高压发光二极管芯片的电流扩展较好，进而能够避免电流拥堵而提高电流耐受能力；此外，垂直高压发光二极管芯片的光型较好，符合朗伯分布而更易于配光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112652686A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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公开(公告)号：CN111564543B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010396450.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压发光二极管呈成垂直结构，使得高压发光二极管芯片的电流扩展较好，可避免电流的横向拥堵问题，从而提高电流耐受能力；此外，所述第k连接电极通过所述凸起台面连接第k芯片区的第一类型导电层和与第k+1芯片区接触的子背面电极，可增大金属与第一型半导体层的接触面积，从而降低接触电阻，同时可增大电流注入的面积，进一步地降低了高压发光二极管芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN111261766A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010069720.9
申请日：2020-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供带有第一电极和第二电极的倒装LED芯片结构和具有第一导电层和第二导电层的导电衬底，其中，导电衬底的面积比倒装LED芯片的面积大，从而使第一电极与第一导电层对应电性连接，第二电极与第二导电层对应电性连接，其中，第二导电层的面积大于第二电极的面积，第二导电层与第二电极连接的区域之外的区域作为第二电极层，用于与外部电路电性连接。通过上述制备方法形成的倒装薄膜LED芯片结构，即保证了LED芯片最大化的发光面积；还能够对去除生长衬底的表面进行粗化处理，从而改善LED芯片的发光分布以及进一步提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110164817A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910428995.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110112274A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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