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公开(公告)号：CN112635626B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110001937.0
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/83
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN117174806A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310989435.2
申请日：2023-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法，其中Mini LED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。
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公开(公告)号：CN116632127A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310538780.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
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公开(公告)号：CN115332413A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211069531.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112652686A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164817A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910428995.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN104347359B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410477236.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN104377219B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104409465A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104377219A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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