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公开(公告)号：CN116741906A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310520108.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
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公开(公告)号：CN119967972A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510270268.5
申请日：2025-03-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/815 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/857 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在发光台面设置使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，由于所述第二绝缘层设置于所述外延叠层的表面和第一电极/第二电极的部分表面，在所述第二电极的边缘可形成具有不同延伸方向的第一绝缘层与第二绝缘层以构建具有夹角的连接结构，可有效缓解LED芯片在特殊环境(如高温高压等)下所产生的张应力扩散，从而提高功能介质层(如透明导电层、绝缘层等)被焊崩或焊裂的风险，进而影响LED芯片的可靠性；并通过第一绝缘层与第二绝缘层的双重保护以提升LED芯片的防水汽能力。
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公开(公告)号：CN116207202A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310296933.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。
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公开(公告)号：CN116190521A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310317675.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
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公开(公告)号：CN119967966A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510299419.X
申请日：2025-03-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括衬底、设于衬底一侧表面的外延叠层、第一电极、第一透明导电层、第二电极和第二透明导电层；外延叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一透明导电层层叠于第二型半导体层背离衬底的部分表面，并设有裸露第二型半导体层的第一孔；第二电极覆盖第一透明导电层背离衬底的部分表面，并通过第一孔与第二型半导体层电连接；第二透明导电层至少覆盖第二电极的侧壁和背离所衬底的部分表面。通过两层透明导电层形成上下两层将第二电极夹住的结构，保证第二电极与透明导电层欧姆接触的同时，改善第二电极与芯片其它膜层的粘附性，提升焊线可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116632127A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310538780.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
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公开(公告)号：CN116169225A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310317679.6
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED晶圆、转移基板、转移方法以及显示装置，通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层，进一步地，所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中，将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时，所述垫高层用于缓解所述晶圆经外延生长后所引起的翘曲，使LED芯粒具有很好的一致性并与所述感应层平整地形成粘接，且所述感应层与衬底之间形成气体排出空间，从而在后续的衬底剥离过程中所产生的废气(如氮气等)可均匀地从所述气体排出空间排出，避免其对晶圆造成影响，同时保证衬底剥离过程中LED芯粒的一致性及剥离良率，藉以提高晶圆的可修复能力和转移良率。
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公开(公告)号：CN119967971A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510270263.2
申请日：2025-03-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/815 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/857 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在所述透明导电层的表面设置第一绝缘层，且所述第一绝缘层具有通孔设置区域，所述通孔设置区域具有多个通孔，通过通孔形成图形，从而改变了LED的表面结构，有助于减少全反射，让更多的光通过通孔逃逸出来。此外，本技术方案，使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率。
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公开(公告)号：CN219937070U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320647685.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L25/075 , H01L21/683 , G09F9/33
Abstract: 本实用新型提供了一种LED晶圆、转移基板以及显示装置，通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层，进一步地，所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中，将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时，所述垫高层用于缓解所述晶圆经外延生长后所引起的翘曲，使LED芯粒具有很好的一致性并与所述感应层平整地形成粘接，且所述感应层与衬底之间形成气体排出空间，从而在后续的衬底剥离过程中所产生的废气(如氮气等)可均匀地从所述气体排出空间排出，避免其对晶圆造成影响，同时保证衬底剥离过程中LED芯粒的一致性及剥离良率，藉以提高晶圆的可修复能力和转移良率。
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公开(公告)号：CN219917200U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320647681.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
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