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公开(公告)号：CN116169225A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310317679.6
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED晶圆、转移基板、转移方法以及显示装置，通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层，进一步地，所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中，将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时，所述垫高层用于缓解所述晶圆经外延生长后所引起的翘曲，使LED芯粒具有很好的一致性并与所述感应层平整地形成粘接，且所述感应层与衬底之间形成气体排出空间，从而在后续的衬底剥离过程中所产生的废气(如氮气等)可均匀地从所述气体排出空间排出，避免其对晶圆造成影响，同时保证衬底剥离过程中LED芯粒的一致性及剥离良率，藉以提高晶圆的可修复能力和转移良率。
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公开(公告)号：CN118213445A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410352678.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过将所述发光结构和所述第一临时衬底进行键合，使感应材料包覆各所述LED芯粒；而后去除所述生长衬底，将表面设有感应材料的第二临时衬底沿所述第一临时衬底靠近所述LED芯粒的一侧进行对位贴合；接着，将所述第一临时衬底进行解键合去除后，通过撕膜工艺去除感应材料使各所述LED芯粒的表面裸露，如此实现了芯片的翻转，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆转移到显示面板。
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公开(公告)号：CN110361644B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910777375.1
申请日：2019-08-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295573A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211037174.6
申请日：2022-08-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种显示模组及其制备方法，该显示模组在衬底基板表面设置挡墙层，且挡墙层包括阵列排布的多个挡墙单元，每个挡墙单元包括环状封闭的侧壁，使得每个挡墙单元在衬底基板表面限定出一个矩形的容置区域，一个容置区域对应键合一个LED芯片，且在容置区域的长度方向上，容置区域的长度大于LED芯片的长度，且不大于LED芯片的长度的3/2，在容置区域的宽度方向上，容置区域的宽度大于LED芯片的宽度，且不大于LED芯片的宽度的3/2，从而使得每个LED芯片能够被一个容置区域对应的挡墙单元所限定，减轻LED芯片的歪斜和位置偏移，提高LED芯片键合到衬底基板上的准直度，提高LED芯片与衬底基板的键合精度。
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公开(公告)号：CN110429052A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910740316.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片选择性搬运方法，由于光敏胶层被曝光照射处的黏性降低，因此，通过第一光敏胶层和第二光敏胶层相应位置处进行曝光照射，使得第一光敏胶层对应第二图案区处为降黏区，及第二光敏胶层对应第一图案区处为降黏区，而后在分离第一基板和第二基板时，会使得第一基板黏附位于第一图案区对应的芯片，及第二基板黏附第二图案区对应的芯片，不仅达到了芯片选择性搬运的目的，而且还能够得到两个成品基板及芯片结构，该搬运方法工艺简单、成本低且效率高。
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公开(公告)号：CN110361644A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910777375.1
申请日：2019-08-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
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公开(公告)号：CN222582906U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202420597815.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种可直接转移的LED芯片结构及显示装置，所述LED芯片结构包括：基板以及通过感应层粘附于所述基板的LED芯粒，其中，各所述LED芯粒间隔排布，且所述LED芯粒的至少一电极设置于所述LED芯粒背离所述基板的一侧表面，使所述电极朝外。如此，可通过将所述的LED芯粒的朝外电极选择性对位接合至所述显示面板，以形成具有像素的显示面板。基于上述结构，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆巨量转移到显示面板，易于生产化。
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公开(公告)号：CN219937070U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320647685.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L25/075 , H01L21/683 , G09F9/33
Abstract: 本实用新型提供了一种LED晶圆、转移基板以及显示装置，通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层，进一步地，所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中，将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时，所述垫高层用于缓解所述晶圆经外延生长后所引起的翘曲，使LED芯粒具有很好的一致性并与所述感应层平整地形成粘接，且所述感应层与衬底之间形成气体排出空间，从而在后续的衬底剥离过程中所产生的废气(如氮气等)可均匀地从所述气体排出空间排出，避免其对晶圆造成影响，同时保证衬底剥离过程中LED芯粒的一致性及剥离良率，藉以提高晶圆的可修复能力和转移良率。
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