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公开(公告)号：CN116344706A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310149176.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。
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公开(公告)号：CN110429052A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910740316.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片选择性搬运方法，由于光敏胶层被曝光照射处的黏性降低，因此，通过第一光敏胶层和第二光敏胶层相应位置处进行曝光照射，使得第一光敏胶层对应第二图案区处为降黏区，及第二光敏胶层对应第一图案区处为降黏区，而后在分离第一基板和第二基板时，会使得第一基板黏附位于第一图案区对应的芯片，及第二基板黏附第二图案区对应的芯片，不仅达到了芯片选择性搬运的目的，而且还能够得到两个成品基板及芯片结构，该搬运方法工艺简单、成本低且效率高。
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公开(公告)号：CN110361644A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910777375.1
申请日：2019-08-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
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公开(公告)号：CN118213445A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410352678.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过将所述发光结构和所述第一临时衬底进行键合，使感应材料包覆各所述LED芯粒；而后去除所述生长衬底，将表面设有感应材料的第二临时衬底沿所述第一临时衬底靠近所述LED芯粒的一侧进行对位贴合；接着，将所述第一临时衬底进行解键合去除后，通过撕膜工艺去除感应材料使各所述LED芯粒的表面裸露，如此实现了芯片的翻转，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆转移到显示面板。
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公开(公告)号：CN116207198A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310052332.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构，在柱状结构和沟槽上生长外延层，使外延层的侧面形成倒角，研磨抛光柱状结构，直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平，去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层，基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角，无需对外延层进行干法刻蚀，避免外延层侧壁产生损伤，进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率；同时，外延层的侧面形成有倒角，有效提升了Micro‑LED芯片的侧壁的出光亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115513194A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211182769.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片及其制作方法，其中集成式RGBMini‑LED芯片包括：在同一水平面上，呈阵列分布的RGB发光单元，阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成，相邻RGB发光单元之间互相绝缘，且其中一种同性电极相邻，使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点，既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良；又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极，减少三次打线工艺，有效减少工艺流程及成本；还可有效减小单个电极的面积，增加发光面积，避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡，进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN110361644B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910777375.1
申请日：2019-08-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
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公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN111129253A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911293794.4
申请日：2019-12-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装微型电子元件结构及其制作方法；倒装微型电子元件结构包括：键合衬底；键合层，位于键合衬底的表面；若干个间隔排布的芯片器件，位于键合层远离键合衬底的一侧，且与键合层之间具有空气间隙；芯片器件的第一表面为芯片器件远离空气间隙的表面；保护层，包括覆盖保护部及链条层，覆盖保护部位于各芯片器件的第二表面及侧壁，且暴露出芯片器件的部分第二表面；链条层位于相邻芯片器件之间，且与覆盖保护部一体连接；链条层的第一表面与芯片器件的第一表面相平齐。上述倒装微型电子元件结构中，由于链条层与芯片器件等高，在转印过程中，转印头不会先压断链条层，从而提高了转印良率。
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公开(公告)号：CN218975467U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202222560992.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片，集成式RGB Mini‑LED芯片包括：在同一水平面上，呈阵列分布的RGB发光单元，阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成，相邻RGB发光单元之间互相绝缘，且其中一种同性电极相邻，使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点，既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良；又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极，减少三次打线工艺，有效减少工艺流程及成本；还可有效减小单个电极的面积，增加发光面积，避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡，进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
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