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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN116979005A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311066424.3
申请日：2023-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
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公开(公告)号：CN114744086A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111679335.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN114334756A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210057723.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本发明设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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公开(公告)号：CN115295694A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210342228.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464712A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210275391.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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公开(公告)号：CN114122222A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114068730A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN113921671A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111311758.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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公开(公告)号：CN114068730B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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