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公开(公告)号：CN119967966A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510299419.X
申请日：2025-03-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括衬底、设于衬底一侧表面的外延叠层、第一电极、第一透明导电层、第二电极和第二透明导电层；外延叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一透明导电层层叠于第二型半导体层背离衬底的部分表面，并设有裸露第二型半导体层的第一孔；第二电极覆盖第一透明导电层背离衬底的部分表面，并通过第一孔与第二型半导体层电连接；第二透明导电层至少覆盖第二电极的侧壁和背离所衬底的部分表面。通过两层透明导电层形成上下两层将第二电极夹住的结构，保证第二电极与透明导电层欧姆接触的同时，改善第二电极与芯片其它膜层的粘附性，提升焊线可靠性。
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公开(公告)号：CN119208466A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411335743.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L23/544 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，通过深刻蚀外延叠层，形成通过切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，切割对准结构通过沟道与对应的子外延叠层间隔设置，沟道为切偏控制线，可在通过切割道实现LED芯片器件的物理分离时提高切割对准精度，进而提升切割良率；此外，在切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，通过干法刻蚀工艺露出衬底以形成切割道，其中，光刻胶栅线图形的栅线密度沿外延叠层的中心往外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层的边缘区域无栅线，利用与刻蚀深宽比相关的负载效应，以提高刻蚀切割道的线宽均匀性，进一步提升切割良率。
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公开(公告)号：CN119069505A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411166760.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法和显示器，LED芯片包括发光主体，发光主体包括外延结构、通道和电极结构；外延结构至少包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；通道沿第一方向贯穿外延结构以将其划分为至少两个独立的外延单元，第一方向垂直于所述第一型半导体层，并由第一型半导体层指向有源层；电极结构设于外延结构设置第一型半导体层的一侧，并与各外延单元电连接形成独立的导电回路，以使得各外延单元适于独立发光。本申请的LED芯片及其制作方法和显示器能够在实现显示屏相同像素密度的情况下，相比于现有技术减少芯片的使用颗粒数，减少固晶成本和芯片成本。
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公开(公告)号：CN118712305A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843865.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片具有位于衬底一侧表面的外延结构，外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向外延结构；在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层；其中，所述第二透明导电层具有图形化表面。由于设置了双层透明导电层，可以通过调整第一透明导电层和第二透明导电层的生长工艺，使得第一透明导电层具有良好的欧姆接触，第二透明导电层具有较高的透过率。并且，在第二透明导电层上具有图像化表面，可以提高光提取效率。一种LED芯片的制作方法用于制作上述LED芯片。
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公开(公告)号：CN114512592A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210144087.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与所述绝缘衬底的金属填充物键合形成一体；也即通过金属填充孔型绝缘衬底的使用，可以实现第一电极和第二电极在键合过程中无需对准，减少了外延层的损失，藉以提升芯片亮度；同时，在封装过程中无需对电极进行打线，可以实现高可靠性无金线封装的LED显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068782A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111360490.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使金属反射层通过所述隔离层与所述第一型半导体层和有源区相互隔离。通过隔离层的透明、绝缘效果，可以将反射层制作到外延叠层的凹槽侧壁，实现反射层面积的增大，从而提高LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110808318B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911094190.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔，从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN112467007A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011552914.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN110299436B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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公开(公告)号：CN110931620A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911366387.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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