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公开(公告)号：CN108807629B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810939754.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
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公开(公告)号：CN109860349B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN109860349A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN105655458B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN109817780A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910106867.8
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构包括多个LED子芯片，每个LED子芯片包括衬底和位于衬底上的外延层，以及位于外延层上的第一电极和第二电极，其中，相邻两个LED子芯片之间设置有隔离深沟槽，隔离深沟槽的部分区域设置有桥接绝缘隔离层。覆盖有桥接绝缘隔离层的部分隔离深沟槽对应的外延层侧壁为非粗化的侧壁，而其他区域的外延层侧壁均为粗化的侧壁。通过将外延层的侧壁粗化，从而能够减少侧向直接出射的光，将侧向出射的光反射至LED芯片正面出射，进而提供高压LED芯片结构的发光效率。同时，桥接绝缘隔离层设置为非粗化侧壁，如此，可避免因外延层侧壁粗化导致桥接处绝缘层覆盖不佳的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817779A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910106878.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。
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公开(公告)号：CN109192830A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810784329.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。
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公开(公告)号：CN109087975A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810884390.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。
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公开(公告)号：CN108878615A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810842674.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
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公开(公告)号：CN106129214B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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