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公开(公告)号：CN109037407B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201810874009.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。
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公开(公告)号：CN109638133B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811532311.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110534623B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910827366.9
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。
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公开(公告)号：CN108878615B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810842674.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
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公开(公告)号：CN110957405A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911369513.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，其中P型半导体层表面包括第一区域和第二区域；电流阻挡层；电流扩展层，其中，电流扩展层在P型半导体层上的正投影完全覆盖P型半导体层，电流扩展层对应P型半导体层第一区域的厚度大于电流扩展层对应P型半导体层第二区域的厚度，从而可以利用电流扩展层第二区域的较小厚度，来增加电流扩展层的透光率，减少电流扩展层对出射光的吸收，提高LED芯片的发光功率，同时利用电流扩展层第一区域的较大厚度，减小LED芯片的电压，进而降低所述LED芯片驱动功率，提高所述LED芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729387A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911015317.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此能够改善现有技术中的发光二极管容易发生金属迁移的问题。
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公开(公告)号：CN110429166A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910784793.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110416380A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810382603.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法，其中所述倒装芯片包括至少一反射层、至少一N型电极、至少一P型电极至少一分布式布拉格反射单元以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所述N型层、所述有源层和所述P型层被依次重叠地设置，并且所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层的外侧面经由所述有源层延伸至所述N型层，其中所述反射层形成于所述P型层，所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N型层、所述有源层、所述P型层以及所述反射层，其中所述N型电极被电连接于所述N型层，所述P型电极被电连接于所述P型层。
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公开(公告)号：CN110379899A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910791673.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片通过在所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的表面形成多个盲孔，所述盲孔沿第一方向的深度小于所述P型氮化镓层的厚度，从而在不影响所述P型氮化镓层有效的电流传导面积的情况下，来减少所述P型氮化镓层对所述发光层发射的光线的吸收，提高所述P型氮化镓层的出光量，同时将所述盲孔的侧壁设置为粗糙表面，以增加所述盲孔侧壁出光量，从而进一步增加所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的出光量，提高所述LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110299436A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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