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公开(公告)号：CN111710768A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010628160.6
申请日：2020-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN110534623B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910827366.9
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。
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公开(公告)号：CN110299436A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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公开(公告)号：CN110165032A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910441323.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管芯片及二极管芯片的制备方法，其中，该二极管芯片包括：衬底，形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，依次位于所述P型层上的透明导电层和粗化层，所述粗化层为透明绝缘粗化层，所述透明绝缘粗化层的折射率与所述透明导电层的折射率的差值小于设定的折射率阈值；所述粗化层和所述透明导电层形成有暴露所述P型层的第一凹槽，所述发光层、所述P型层、所述透明导电层和所述粗化层形成有暴露所述N型层的第二凹槽；所述第一凹槽对应的P型层上设置有第一电极，以及，所述第二凹槽对应的N型层上设置有第二电极。本申请实施例提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN106992235A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710292721.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106992235B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201710292721.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110571315A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910859367.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括第一氮化镓层、有源层、第二氮化镓层，第一氮化镓层与第二氮化镓层的掺杂类型不同；位于第二氮化镓层背离衬底一侧预设区域的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第二氮化镓层一侧，覆盖第二氮化镓层的复合膜层，复合膜层包括层叠的欧姆接触层、绝缘点阵层、第一导电层，其中，绝缘点阵层包括多个不连续的绝缘单元；与第一氮化镓层背离衬底的一侧电连接第一电极；与复合膜层背离第二氮化镓层的一侧电连接第二电极。该LED芯片具有较高的电流横向扩展能力和较高的发光亮度。
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公开(公告)号：CN108110099B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN108110099A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN110299436B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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