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公开(公告)号：CN107680983B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711042353.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法，该Micro LED阵列器件的生长衬底远离所述发光二极管结构一侧具有磁性材料层，发光二极管结构上方具有粘结层。该Micro LED阵列器件拾取装置包括承载板及其表面的磁电材料层；与磁电材料层电连接的控制电路，位于所述磁电材料层表面上包括多个绝缘窗口和隔离块的绝缘窗口层。本发明由控制电路对拾取装置上的磁电材料层与在Micro LED阵列器件的磁性材料层之间磁性强弱的控制，从而实现Micro LED阵列器件的转移。
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公开(公告)号：CN107768496A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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公开(公告)号：CN107946427B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711158981.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。
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公开(公告)号：CN107275446B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710613467.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN108511569A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810282133.0
申请日：2018-03-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域，而周边区域为高反射区域，进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域，进而明显增大了微LED芯片的发光角，以此改善由单个微LED芯片拼接带来的拼接区域亮度偏低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731973A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711038374.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于衬底的晶圆定位边，且第一方向的折射率大于第二方向的折射率；在衬底上形成外延层结构；将形成完外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；采用切割的方式，形成单个LED芯片，且LED芯片的长边平行于第一方向；采用封装碗杯对LED芯片进行封装，且在封装碗杯与LED芯片之间填充环氧树脂，其中，第一方向的折射率大于第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率，该LED芯片结构降低了光从芯片出射至外部的全反射，提高了LED芯片的外量子效率，解决了现有技术中存在的问题。
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公开(公告)号：CN107689407A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710719615.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN107275446A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710613467.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN108511569B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810282133.0
申请日：2018-03-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域，而周边区域为高反射区域，进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域，进而明显增大了微LED芯片的发光角，以此改善由单个微LED芯片拼接带来的拼接区域亮度偏低的问题。
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公开(公告)号：CN107689407B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710719615.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
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