-
公开(公告)号：CN108511569B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810282133.0
申请日：2018-03-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域，而周边区域为高反射区域，进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域，进而明显增大了微LED芯片的发光角，以此改善由单个微LED芯片拼接带来的拼接区域亮度偏低的问题。
-
公开(公告)号：CN107689407B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710719615.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
-
公开(公告)号：CN107293620B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
-
公开(公告)号：CN108732876A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810478963.0
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法包括步骤：首先以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；其次，在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层，通过这样的方式，所述光阻材料层能够形成层叠于所述半导体基底的一光阻层，并保证所述光阻层的各个部分的溶剂含量一致，从而有利于保证后续的光刻工艺的稳定性。
-
公开(公告)号：CN108417675A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075 , H01L33/48 , H01L33/60
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449924B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开种光热电分离的倒装LED芯片,在衬底上形成缓冲层,在缓冲层上形成N‑GaN,在N‑GaN上形成有源层,在有源层上形成P‑GaN,依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN;在P‑GaN上形成金属反射层,在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层,在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层,导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极,P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接,N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离,出光面无电极挡光,取光效率高,热量由导热金属层导出,增加芯片可靠性。
-
公开(公告)号：CN106169531A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610557381.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN106129219A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
-
公开(公告)号：CN106129214A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
-
公开(公告)号：CN106129192A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.033 seconds)
