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公开(公告)号：CN106129219B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN105932137B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105762264B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610273817.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105304782B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510649958.8
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。本发明可以提高电流扩展效果，进而提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105428474B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355767B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912074.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。
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公开(公告)号：CN106684219A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710053641.7
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/005 , H01L33/04 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其加工方法，该LED芯片结构包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层，所述第一半导体层上逐层设有透明导电层、反射绝缘层和第一电流扩展反射层，所述反射绝缘层上分布有多个第一通孔，所述第一电流扩展反射层具有伸入至所述第一通孔内的第一导电柱结构、与所述透明导电层导电接触。本发明提供的LED芯片结构，其电流扩散效果较好。
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公开(公告)号：CN106449924A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N-GaN，在N-GaN上形成有源层，在有源层上形成P-GaN，依次部分蚀刻P-GaN和有源层直至裸露部分N-GaN；在P-GaN上形成金属反射层，在裸露部分N-GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开一种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离，出光面无电极挡光，取光效率高，热量由导热金属层导出，增加芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN106098678A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610425669.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。本发明可以减少封装体积和使用的封装面积，提高白光的演色性，且混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105762264A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610273817.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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