-
公开(公告)号：CN106129219B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
-
公开(公告)号：CN105590943A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610103085.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2933/0033
Abstract: 一种高压LED及其制作工艺，涉及LED的制造技术领域。在半制品表面蒸镀DBR层，再通过刻蚀，保留每个元胞的量子阱层侧壁和N-GaN层表面的DBR层，以及在元胞的第二电极区域和相邻的另一元胞的第一电极区域之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面的DBR层；形成的产品特点：在各元胞的量子阱层侧壁、N-GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面设置DBR绝缘层。可减少光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN106025027B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
-
公开(公告)号：CN105938864B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
-
公开(公告)号：CN107293620A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025010A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610567047.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄鑫茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层刻蚀形成台阶并将N‑GaN层部分裸露，在P‑GaN层台阶上依次形成DBR导电反射层和金属反射层，在N‑GaN层的裸露部分设置N金属导电层及电流扩展条，在金属反射层上方以及N金属导电层和N‑GaN层裸露部分的上方形成绝缘层；所述绝缘层上形成若干通孔，在绝缘层上分别设置P共金层和N共金层，P共金层通过通孔与金属反射层连接，N共金层通过通孔与N金属导电层连接，绝缘层将N金属导电层与P共金层隔离，将DBR导电反射层与N共金层隔离。本发明提高了发光二极管产品的发光可靠性，降低工艺难度和制作成本。
-
公开(公告)号：CN105938864A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/20
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
-
公开(公告)号：CN105742421A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610253384.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/42
Abstract: 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P?GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N?GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P?GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P?GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N?GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P?GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。
-
公开(公告)号：CN106129214B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
-
公开(公告)号：CN106098893A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610461104.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.025 seconds)
