公开(公告)号：CN107293620A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710570324.2

申请日：2017-07-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  李俊贤 ,  吴奇隆 ,  汪洋 ,  陈凯轩 ,  刘英策 ,  魏振东 ,  周弘毅 ,  蔡立鹤 ,  黄新茂 ,  蔡和勋 ,  李耿诚

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。

公开(公告)号：CN106992235B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201710292721.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 周弘毅 ,  蔡和勋 ,  李耿诚 ,  刘英策 ,  魏振东

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。

公开(公告)号：CN110534623B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910827366.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  蔡和勋 ,  李耿诚 ,  李俊贤 ,  刘英策

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。

公开(公告)号：CN106992235A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710292721.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 周弘毅 ,  蔡和勋 ,  李耿诚 ,  刘英策 ,  魏振东

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。

公开(公告)号：CN110534623A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910827366.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  蔡和勋 ,  李耿诚 ,  李俊贤 ,  刘英策

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。

公开(公告)号：CN107293620B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201710570324.2

申请日：2017-07-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  李俊贤 ,  吴奇隆 ,  汪洋 ,  陈凯轩 ,  刘英策 ,  魏振东 ,  周弘毅 ,  蔡立鹤 ,  黄新茂 ,  蔡和勋 ,  李耿诚

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。