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公开(公告)号：CN106784219B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710053445.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
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公开(公告)号：CN105789396B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610273690.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法，在衬底上表面蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上外延生长复合缓冲层，反应温度至1000℃左右；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成；生长完复合缓冲层再升高外延生长温度至1050℃以上依次进行外延生长非故意掺杂层及第一型导电层；降低外延生长温度至低于800℃在第一型导电层上外延生长有源层；升高温度至900℃以上，在有源层上依次生长第二型导电层及欧姆接触层。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105870279B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610273818.X
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN106328775B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610788677.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。
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公开(公告)号：CN105895761B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610396403.1
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管，在衬底上设置AlN第一缓冲层，在AlN第一缓冲层上设置交替生长的SiO2腐蚀层及AlN第二缓冲层作为腐蚀通道层；在腐蚀通道层上设置SiO2图形层并形成PSS图形，PSS图形之间露出腐蚀通道层，腐蚀通道层两两相对且相邻间隔设置，在AlN第一缓冲层、SiO2图形层的PSS图形及腐蚀通道层上设置外延结构。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789421B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610273774.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层；在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞；在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层；在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层，在第二型导电层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上蒸镀导电层；依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导电层、微米孔洞制作层，裸露部分第一型导电层；在第一型导电层上形成第一电极制作区，第一电极制作区形成第一电极，在导电层上形成第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105304771B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510703819.9
申请日：2015-10-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高扩展效应的发光二极管的制作方法，包括以下步骤：提供一外延衬底；使用MOCVD在所述外延衬底上生长发光二极管外延层；在所述发光二极管外延层表面形成保护胶，然后在所述发光二极管外延层侧面四周的两面交替蒸镀复数层Ni‑Fe合金膜与Si3N4膜；在所述发光二极管外延层侧面四周的另两面交替蒸镀复数层Si3N4膜与Ni‑Fe合金膜；去除所述发光二极管外延层表面保护胶，露出p电极和n电极，并分离成独立的发光二极管器件。本发明达到了有效增强发光二极管的N、P型的电流扩展效果，而又不会增加了电极挡光面积，以及提高在大面积尺寸芯片的N型电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN107482090A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/78
Abstract: 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
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公开(公告)号：CN105720139B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610098961.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 提高氮化物发光二极管P型掺杂浓度的外延生长方法，涉及氮化物外延技术领域，本发明在衬底上依次生长缓冲层、N型层、发光有源层、电子阻挡层、P型层和接触层，其特征在于：在N2和氨气的氛围下，通过控制三甲基铟流量分层生长形成P型层，形成的P‑AlXGa1‑XN材料层空穴浓度可明显提高，方块电阻可明显降低，基于此材料层的LED光电性能可明显提升。
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公开(公告)号：CN105047785B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510570680.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有微光学传输系统的发光二极管，包括一外延衬底，所述外延衬底上方设置一缓冲层，所述缓冲层上方设置一第一型导电层，所述第一型导电层上方设置一有源层，所述有源层上方设置一第二型导电层，所述第二型导电层上方设置一图形制作层，所述图形制作层内下端部设置有电极布拉格反射层，所述电极布拉格反射层具有若干个圆柱状孔洞，且该若干个圆柱状孔洞内充满所述图形制作层材料，所述图形制作层上方设置若干圆弧台型立体反射器，所述圆弧台型立体反射器上方设置一焊台电极。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
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