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公开(公告)号：CN118676276A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410887638.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于氮化镓系应用的红光LED外延结构及其制备方法，其所述N型半导体层与所述有源层之间设有复合型应力释放结构；其中，所述复合型应力释放结构包括沿所述第一方向依次设置的应力累积层、应力释放层；其中，所述应力累积层与相邻的所述N型半导体层两者之间晶格失配以形成应力累积，所述应力释放层通过内部形成孔洞以释放所述应力累积层所形成的应力；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层。从而，通过所述应力累积层与所述应力释放层的协同作用形成孔洞以释放所述应力累积层所累积的应力，从而很好地解决有源层的晶格失配问题。
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公开(公告)号：CN118299478A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410345187.2
申请日：2024-03-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法，其所述有源层包括沿第一方向依次设置的第一复合区、应力过渡层以及第二复合区；通过所述应力过渡层的In组分设置，实现InGaN/GaN超晶格结构(即第一复合区)与主发光区(即第二复合区)之间的应力过渡，避免因InGaN/GaN超晶格结构中两材料晶格不匹配所带来的极化效应影响至主发光区；同时，通过所述应力过渡层的材料和厚度设置，使其等同于前置量子阱，以捕获通过V型坑中间的穿透位错中心泄露的载流子并使其进行辐射复合，进而提高有源层的内量子效率，提升LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN117558845A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311840853.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构，所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层，所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结的本体，且所述中间层用于在所述隧穿结内构建二次电场。基于此，当电子从N型半导体层进入有源层与空穴复合时，在隧穿结强大的内建电场的作用下，电子沿第一方向逐步转移至后续的量子阱结构中，实现电子和空穴的重复利用，并发生二次辐射复合；如此通过隧穿结串联的多个量子阱结构，可多次实现电子和空穴的重复利用，以产生更多的光子。
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公开(公告)号：CN114068774B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111348613.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子阱层包括至少一个层叠单元，层叠单元包括沿背离基底的方向依次排布的第一InGaN量子阱层、InN层和第二InGaN量子阱层，即该LED芯片通过在量子阱层中引入至少一层InN层，实现在相对更高的生长温度下，获得整体更高In组分的InGaN量子阱层，从而有效减少InGaN量子阱层的位错密度和杂质并入，提升多量子阱有源层的晶体质量，进而提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN116469979A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310301101.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，本发明提供的LED外延结构，通过在所述电子阻挡层与P型半导体层之间设有由第一抗静电层、过渡层以及光提取层所组成的周期结构。从而，通过过渡层缓解所述第一抗静电层与光提取层的生长条件差异性；同时，通过周期结构的类超晶格方式生长，使电流经过每个超晶格界面后可进一步地扩展，如此经过多次的电流扩展后，可极大地提升自身的抗静电能力；另一方面，这种周期性垂直穿插超晶格可减小外延生长中的位错和缺陷，尤其可很好地改善穿透位错，如此减小了漏电通道，进一步提升了抗静电能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053371A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310218116.1
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于紫光LED的外延结构及其制备方法，所述量子阱包括若干个AlGaN/AlN周期结构，且在相邻两AlGaN/AlN周期结构之间还设有AlGaN中间层。如此，在有源层中，可通过AlN单元的调制以提高AlGaN单元的晶体质量，同时，通过在相邻两AlGaN/AlN周期结构之间设置AlGaN中间层，并通过各所述AlGaN/AlN周期结构的周期数以及对应的AlGaN单元、AlN单元生长时间的调控，以减小AlN单元所引起的强极化电场，平衡AlGaN/AlN周期结构两端的极化电场，从而达到增加电子空穴波函数交叠、提高发光效率的目的。
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公开(公告)号：CN113224215B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110488179.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，在有源层背离所述N型半导体层一侧设有复合电流扩展层，其中，所述复合电流扩展层包括若干个由空穴供给层及空穴势垒层所组成的周期单元，且以所述空穴供给层作为所述复合电流扩展层的接触表面；进一步地，所述空穴供给层的禁带宽度小于或等于所述空穴势垒层的禁带宽度。使所述复合电流扩展层在通过空穴供给层提供空穴的同时，并通过空穴势垒层形成有效空穴势垒高度，以此提高P型掺杂浓度，拉高材料在该区域的价带，进而有效提升电流的横向扩展能力。
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公开(公告)号：CN112993099A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110178379.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的晶格失配，进而削弱了极化电场带来的不利影响，提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN119545990A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411731204.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/01 , H10H20/821
Abstract: 一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括衬底和设于衬底一侧表面的外延结构；外延结构包括沿第一方向依次设置的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，第一方向垂直于衬底，且由衬底指向外延结构；多量子阱层包括由第一膜组构成的周期性结构，各第一膜组包括沿第一方向依次设置的量子垒层和量子阱层；量子垒层为GaN层，量子阱层为由第一子层和第二子层构成的周期性结构；第一子层为I n含量为n的I nGaN层，第二子层为I n含量为m的I nGaN层，m＞n，以使得量子阱层的能带呈锯齿形。这种锯齿形能带能够调控I n团簇在量子阱层中的空间分布，降低势垒高度，增加空穴注入，从而增加电子和空穴波函数重叠的几率，进而提升LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN116705945A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310681134.3
申请日：2023-06-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，通过在所述V型凹坑形成后生长所述空穴阻挡层，一方面，利用所述空穴阻挡层较高的势垒，以减少N型半导体层中的电子向P型半导体层扩散，从而减少电子溢流；另一方面，所述空穴阻挡层可以拦截P型半导体层的空穴通过V型凹坑的侧壁向N型半导体层注入，从而，增加空穴的利用率，让载流子在整个有源区分布更加均匀。进一步地，通过复合型空穴阻挡层中的AlInGaN层形成沿生长方向的电场，使电场方向与空穴传输方向相反，从而阻碍空穴向N型半导体层的扩散；此外，沿生长方向的电场可迟滞电子向P型半导体层的迁移速率，最终得以提高半导体发光元件的发光效率。
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