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公开(公告)号：CN116705945A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310681134.3
申请日：2023-06-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，通过在所述V型凹坑形成后生长所述空穴阻挡层，一方面，利用所述空穴阻挡层较高的势垒，以减少N型半导体层中的电子向P型半导体层扩散，从而减少电子溢流；另一方面，所述空穴阻挡层可以拦截P型半导体层的空穴通过V型凹坑的侧壁向N型半导体层注入，从而，增加空穴的利用率，让载流子在整个有源区分布更加均匀。进一步地，通过复合型空穴阻挡层中的AlInGaN层形成沿生长方向的电场，使电场方向与空穴传输方向相反，从而阻碍空穴向N型半导体层的扩散；此外，沿生长方向的电场可迟滞电子向P型半导体层的迁移速率，最终得以提高半导体发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN115627532A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211180394.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: C30B25/12 , C23C16/458 , C04B41/89
Abstract: 本发明提供了一种用于改善外延结构均匀性的石墨盘及其制作方法，所述石墨盘包括：石墨盘本体，石墨盘本体上具有多个凹槽和位于凹槽底部边缘区域的支柱，且支柱的高度小于凹槽的深度；至少覆盖支柱的第一表面、支柱的侧壁以及凹槽暴露出的侧壁上的隔热组件。其中，在石墨盘放置衬底的凹槽的侧壁及支柱的第一表面和侧壁覆盖隔热组件，使得衬底不会直接接触到石墨盘，而是通过隔热组件间接与石墨盘接触，使得石墨盘表面的温度无法直接传递到衬底上，从而降低衬底与石墨盘及支柱接触的位置附近的热传递效果，有效降低接触位置的温度，避免了因衬底与石墨盘直接接触而导致的局域温度偏高这一现象，进而解决了温度差异导致波长一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN107546302B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN107546302A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN116469979A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310301101.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，本发明提供的LED外延结构，通过在所述电子阻挡层与P型半导体层之间设有由第一抗静电层、过渡层以及光提取层所组成的周期结构。从而，通过过渡层缓解所述第一抗静电层与光提取层的生长条件差异性；同时，通过周期结构的类超晶格方式生长，使电流经过每个超晶格界面后可进一步地扩展，如此经过多次的电流扩展后，可极大地提升自身的抗静电能力；另一方面，这种周期性垂直穿插超晶格可减小外延生长中的位错和缺陷，尤其可很好地改善穿透位错，如此减小了漏电通道，进一步提升了抗静电能力。
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公开(公告)号：CN116053371A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310218116.1
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于紫光LED的外延结构及其制备方法，所述量子阱包括若干个AlGaN/AlN周期结构，且在相邻两AlGaN/AlN周期结构之间还设有AlGaN中间层。如此，在有源层中，可通过AlN单元的调制以提高AlGaN单元的晶体质量，同时，通过在相邻两AlGaN/AlN周期结构之间设置AlGaN中间层，并通过各所述AlGaN/AlN周期结构的周期数以及对应的AlGaN单元、AlN单元生长时间的调控，以减小AlN单元所引起的强极化电场，平衡AlGaN/AlN周期结构两端的极化电场，从而达到增加电子空穴波函数交叠、提高发光效率的目的。
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