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公开(公告)号：CN119767888A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411989697.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/01
Abstract: 一种LED外延结构及其制作方法，其中LED外延结构包括沿第一方向依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；第一方向垂直于N型半导体层，并由N型半导体层指向有源层；有源层包括沿第一方向依次层叠的N层量子垒层，N为正整数；沿第一方向，最后一层量子垒层包括第一子层和第二子层；第一子层包括沿第一方向依次层叠的N型掺杂I nGaN层、不掺杂的I nGaN层和P型掺杂I nGaN层且第一子层的I n组分沿第一方向逐渐减小，第二子层为GaN层。LED外延结构由于上述设置能够削弱有源层的极化电场，减小QCSE的不利影响，加速空穴注入，有利于束缚电子，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN117013368A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310653525.4
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、第一型波导层、有源区、第二型波导层以及P型半导体层；其中，在所述第二型波导层与P型半导体层之间还设有AlN插入层和空穴补充层，所述AlN插入层用于阻挡有源区的电子向所述P型半导体层扩散，并限制所述P型半导体层的P型掺杂剂被所述第二型波导层吸收；所述空穴补充层通过局部过量掺杂以补充空穴注入。
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公开(公告)号：CN116111018A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211659594.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
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公开(公告)号：CN115863504A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211489363.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，其MQW层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，且所述量子垒包括若干组InGaN/GaN/AlGaN层，进一步地，所述量子垒的两接触面分别设有GaN层；通过InGaN/GaN/AlGaN层对电子产生多级散射，减小电子迁移速率，增加电子被MQW俘获的几率；同时，在InGaN/GaN/AlGaN的层与层之间形成反生长方向的极化电场(P→N)，对空穴产生多级加速，对电子减速，增加空穴的注入效率，减少电子溢流，从而平衡载流子分布，增加辐射复合速率，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114068774A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111348613.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子阱层包括至少一个层叠单元，层叠单元包括沿背离基底的方向依次排布的第一InGaN量子阱层、InN层和第二InGaN量子阱层，即该LED芯片通过在量子阱层中引入至少一层InN层，实现在相对更高的生长温度下，获得整体更高In组分的InGaN量子阱层，从而有效减少InGaN量子阱层的位错密度和杂质并入，提升多量子阱有源层的晶体质量，进而提高LED芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809209A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111134402.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过：在N型半导体层和MQW层之间设有由非掺杂InGaN构成的电子冷却层，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；且所述电子冷却层的In组分小于所述量子阱的In组分。由于，InGaN构成的电子冷却层与量子垒中的GaN层所产生晶格失配极小，有利于后续生长MQW层时晶体质量的提升；同时InGaN电子冷却层能减少电子在所述MQW层的平均自由程，也能起到前期阻挡电子的作用，减小价带势垒高度，间接增加空穴注入，从而促进载流子在MQW层的高效复合。
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公开(公告)号：CN111403563B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010230868.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN108735867B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109166950B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811072704.4
申请日：2018-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。
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公开(公告)号：CN116487496A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310530354.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、应力释放层、隧穿势垒层、量子点结构以及P型半导体层；其中，所述应力释放层用于释放应力且俘获载流子，其包括交替堆叠的量子阱和量子垒；且所述应力释放层具有量子限制斯塔克效应，以减少载流子在所述应力释放层中的辐射复合，促使载流子经所述隧穿势垒层进入所述量子点结构，从而提高载流子在量子点结构的辐射复合。
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