-
公开(公告)号：CN114068774B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111348613.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子阱层包括至少一个层叠单元，层叠单元包括沿背离基底的方向依次排布的第一InGaN量子阱层、InN层和第二InGaN量子阱层，即该LED芯片通过在量子阱层中引入至少一层InN层，实现在相对更高的生长温度下，获得整体更高In组分的InGaN量子阱层，从而有效减少InGaN量子阱层的位错密度和杂质并入，提升多量子阱有源层的晶体质量，进而提高LED芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN114068774A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111348613.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子阱层包括至少一个层叠单元，层叠单元包括沿背离基底的方向依次排布的第一InGaN量子阱层、InN层和第二InGaN量子阱层，即该LED芯片通过在量子阱层中引入至少一层InN层，实现在相对更高的生长温度下，获得整体更高In组分的InGaN量子阱层，从而有效减少InGaN量子阱层的位错密度和杂质并入，提升多量子阱有源层的晶体质量，进而提高LED芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN113809209A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111134402.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过：在N型半导体层和MQW层之间设有由非掺杂InGaN构成的电子冷却层，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；且所述电子冷却层的In组分小于所述量子阱的In组分。由于，InGaN构成的电子冷却层与量子垒中的GaN层所产生晶格失配极小，有利于后续生长MQW层时晶体质量的提升；同时InGaN电子冷却层能减少电子在所述MQW层的平均自由程，也能起到前期阻挡电子的作用，减小价带势垒高度，间接增加空穴注入，从而促进载流子在MQW层的高效复合。
-
公开(公告)号：CN113809209B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202111134402.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过：在N型半导体层和MQW层之间设有由非掺杂InGaN构成的电子冷却层，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；且所述电子冷却层的In组分小于所述量子阱的In组分。由于，InGaN构成的电子冷却层与量子垒中的GaN层所产生晶格失配极小，有利于后续生长MQW层时晶体质量的提升；同时InGaN电子冷却层能减少电子在所述MQW层的平均自由程，也能起到前期阻挡电子的作用，减小价带势垒高度，间接增加空穴注入，从而促进载流子在MQW层的高效复合。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.024 seconds)
