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公开(公告)号：CN117558845A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311840853.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构，所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层，所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结的本体，且所述中间层用于在所述隧穿结内构建二次电场。基于此，当电子从N型半导体层进入有源层与空穴复合时，在隧穿结强大的内建电场的作用下，电子沿第一方向逐步转移至后续的量子阱结构中，实现电子和空穴的重复利用，并发生二次辐射复合；如此通过隧穿结串联的多个量子阱结构，可多次实现电子和空穴的重复利用，以产生更多的光子。
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公开(公告)号：CN116469979A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310301101.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，本发明提供的LED外延结构，通过在所述电子阻挡层与P型半导体层之间设有由第一抗静电层、过渡层以及光提取层所组成的周期结构。从而，通过过渡层缓解所述第一抗静电层与光提取层的生长条件差异性；同时，通过周期结构的类超晶格方式生长，使电流经过每个超晶格界面后可进一步地扩展，如此经过多次的电流扩展后，可极大地提升自身的抗静电能力；另一方面，这种周期性垂直穿插超晶格可减小外延生长中的位错和缺陷，尤其可很好地改善穿透位错，如此减小了漏电通道，进一步提升了抗静电能力。
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公开(公告)号：CN109166950A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811072704.4
申请日：2018-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。
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公开(公告)号：CN108735867A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104393136A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768578B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110176774.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势阱层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势阱层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于阱层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强阱层的电子限制，从而提高其内量子效率。
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公开(公告)号：CN117013368A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310653525.4
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、第一型波导层、有源区、第二型波导层以及P型半导体层；其中，在所述第二型波导层与P型半导体层之间还设有AlN插入层和空穴补充层，所述AlN插入层用于阻挡有源区的电子向所述P型半导体层扩散，并限制所述P型半导体层的P型掺杂剂被所述第二型波导层吸收；所述空穴补充层通过局部过量掺杂以补充空穴注入。
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公开(公告)号：CN115627532A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211180394.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: C30B25/12 , C23C16/458 , C04B41/89
Abstract: 本发明提供了一种用于改善外延结构均匀性的石墨盘及其制作方法，所述石墨盘包括：石墨盘本体，石墨盘本体上具有多个凹槽和位于凹槽底部边缘区域的支柱，且支柱的高度小于凹槽的深度；至少覆盖支柱的第一表面、支柱的侧壁以及凹槽暴露出的侧壁上的隔热组件。其中，在石墨盘放置衬底的凹槽的侧壁及支柱的第一表面和侧壁覆盖隔热组件，使得衬底不会直接接触到石墨盘，而是通过隔热组件间接与石墨盘接触，使得石墨盘表面的温度无法直接传递到衬底上，从而降低衬底与石墨盘及支柱接触的位置附近的热传递效果，有效降低接触位置的温度，避免了因衬底与石墨盘直接接触而导致的局域温度偏高这一现象，进而解决了温度差异导致波长一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN111403563B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010230868.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN110176524B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910501546.8
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了AlGaN薄膜作为LED器件的缓冲层，与ALN缓冲层相比，采用AlGa合金靶材在衬底表面制作的AlGaN缓冲层，可以有效改善后续形成的GaN薄膜的晶格应力，提高LED器件的性能。
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