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公开(公告)号：CN104393136A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN102760809A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210267956.9
申请日：2012-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种采用N型衬底的发光二极管及其制造方法，其包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；其制造方法包括在300℃-700℃的温度下对N型GaAs衬底进行表面处理，然后依次生长各外延结构；本发明可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN104319330B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN104393136B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN102664226A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210155106.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本发明可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114334756A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210057723.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本发明设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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公开(公告)号：CN103715326B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自上而下依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN103715326A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN103500784B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN104319330A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
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