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公开(公告)号：CN114122222B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114864625A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656195.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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公开(公告)号：CN114530534A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210327434.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本发明提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN114284201A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111626631.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。
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公开(公告)号：CN114078990A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111607942.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116065124A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211685513.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN114843381A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210492281.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，本申请提供的LED芯片的制作方法，一方面，通过光刻、刻蚀的方式将阻挡层进行图形化处理，实现一道光刻工艺同时形成电流阻挡层和N区掩膜；另一方面，通过干法刻蚀同时刻蚀P区掩膜、N区掩膜和切割道图形，实现一道刻蚀中形成N型区台面和切割道，简化流程，提升产量，且刻蚀面皆为倾斜面有利于在PV工序中沉积绝缘保护层，在不额外增加光刻的基础上，将外延结构的倾斜面和切割道裸露出来，最后在PV工序中被绝缘保护层保护起来，从而提升LED芯片的发光亮度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114122222A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114068730A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN113921671A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111311758.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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