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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN116995149A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749068.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN116979005A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311066424.3
申请日：2023-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
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公开(公告)号：CN116364831A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310336014.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构；位于所述纳米疏水结构背离所述衬底一侧的有机氟化物层。该LED芯片结构中的钝化层具有纳米疏水结构，通过纳米疏水结构和有机氟化物层，可以使得LED芯片结构的表面实现小于20的表面能，LED芯片结构表面的水滴角大于110°，这样在高温高湿环境中，水汽不容易被LED芯片结构的表面吸附或润湿，避免了吸潮现象的出现，从而提升了LED芯片结构在高温高湿环境中的可靠性能。
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公开(公告)号：CN116344724A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310195073.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692569A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211521246.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过提供复合衬底，所述复合衬底包括依次堆叠的第一衬底、键合层以及第二衬底；接着，在所述复合衬底表面生长外延叠层并形成对应的接触电极后，沿所述复合衬底的一侧，通过磨边工艺，使所述LED芯片的边缘裸露所述键合层；最后通过刻蚀所述键合层，同步去除所述键合层及第一衬底。如此，在避免对衬底整体进行物理研磨的同时，亦可实现对LED芯片减薄时的均匀性。同时，在本发明的LED芯片的制作过程中，无需对第二衬底进行直接加工处理，而LED芯片的最终厚度由第二衬底的厚度决定，因此，本发明的LED芯片厚度易于控制，尤其适用于小尺寸的LED芯片。
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公开(公告)号：CN114744086A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111679335.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN114334756A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210057723.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本发明设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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公开(公告)号：CN114242867B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN117174806A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310989435.2
申请日：2023-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法，其中Mini LED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。
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