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公开(公告)号：CN116243558A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310245841.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/004 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2/金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
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公开(公告)号：CN117790658A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837690.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层，I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层，并刻蚀I TO复合层形成悬空结构，使I TO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于I TO导电层的侧向刻蚀深度，通过控制ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让I TO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经过刻蚀后的倾斜侧壁与I TO导电层具有一定的间距，避免搭边引起漏电问题；另一方面，MESA/I TO工序合并光刻，避免单独工序时造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响微型LED芯片的亮度问题，既简化流程，提升产量，降低成本，又可提升亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207202A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310296933.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。
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公开(公告)号：CN114242867B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114242867A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN113437188A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110702283.4
申请日：2021-06-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面，且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；使透明导电层层叠于扩展电极之上，实现第一电极与扩展电极分层制作，从而实现扩展电极的选择灵活性，以减少扩展电极对光的吸收，同时可防止扩展电极脱落的现象。
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公开(公告)号：CN219435878U
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202320601956.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种高压微型发光器件，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟道相互隔离的若干个LED单元；其中，相邻两个LED单元通过桥接电极形成电连接，且在所述沟道内设有玻璃化绝缘层，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式连接相邻两个LED单元。从而通过玻璃化绝缘层减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，同时，由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题，进而提高高压微型发光器件的可靠性。
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