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公开(公告)号：CN115360278A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210997930.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了本发明提供了一种微型发光器件及其制备方法，通过将第一金属反射层层叠于具有岛状结构的透明导电层的表面，使得经第一金属反射层向下反射的光在岛状结构处形成漫反射效果，再经第二、第三反射层反射进一步扩大发光角度；所述第一金属反射层和所述透明导电层通过合金工艺与所述第二型半导体层形成欧姆接触的同时，由于第一金属反射层具有导电性能，且其电阻值低于透明导电层，更有利于电流的横向传导，从而降低电压，进一步提升微型发光器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115000268A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210623876.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过外延叠层表面设置绝缘反射层，且所述绝缘反射层具有分别与所述凹槽裸露部和台面裸露部所对应的通孔；同时，在所述通孔内分别设有金属填充层；第一电极，其通过所述通孔层叠于所述凹槽的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面；第二电极，其通过所述通孔层叠于所述台面的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面。从而，通过填孔金属层的设置可以实现绝缘反射层开孔的填平，减少了因绝缘反射层开孔所导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN114975715A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210620906.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114927417A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210690408.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L33/00 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻胶的图形呈上窄下宽后，再结合所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1的设置，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成倾斜度较小的预设图形。
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公开(公告)号：CN112951964B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110200475.5
申请日：2021-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金层；其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金‑铝合金层。已知金属铝和金‑铝合金均具有很好的抗腐蚀能力，因此位于第一金层上的第一合金层和第一铝层以及位于第二金层上的第二合金层和第二铝层能够避免第一金层和第二金层在盐雾环境中发生电化学腐蚀，进而避免由于所述第一金层和所述第二金层发生电化学腐蚀而破坏所述第一金层和所述第二金层上的布线，导致LED芯片失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114530534A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210327434.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本发明提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN112133803A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010992690.9
申请日：2020-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，通过在所述发光结构的表面构建纳米体系，且所述纳米体系的自由振动频率与所述发光结构的入射光光子频率相匹配，使所述发光结构的局域表面形成等离激元共振(LSPR)效应，进而提高发光二极管的亮度。并通过纳米压印工艺的应用可精准控制等间距且均匀的纳米粒子的形成，且失效粒子较少，从而获得最佳的纳米体系；同时其工艺制作简单便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN110729387A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911015317.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此能够改善现有技术中的发光二极管容易发生金属迁移的问题。
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公开(公告)号：CN118782710A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410863676.7
申请日：2024-06-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光二极管外延片及其制作方法，本申请提供的微型发光二极管外延片的制作方法，生长复合透明导电膜包括：在反应腔室内，采用射频结合直流的溅射方式在第二型半导体层的表面依次制备低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层，可提高复合透明导电膜的致密性及复合透明导电膜与第二型半导体层的欧姆接触，进而提高复合透明导电膜的ESD能力；结合低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层以实现制备低电阻率、高透过率和高稳定性的复合透明导电膜的目的。
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公开(公告)号：CN117117055A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311267678.1
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过在所述第一电极和第二电极的侧壁分别设有金属粘附层，且所述金属粘附层与所述钝化层之间的粘附力大于所述电极与所述钝化层之间的粘附力。基于此结构，可利用第一电极/第二电极表面与钝化层材料直接接触时粘附性差的特点，通过蓝膜对芯片表面进行撕膜，使所述第一电极、第二电极表面的钝化层随着蓝膜脱落，从而形成分别裸露所述第一电极和第二电极的至少部分表面的钝化层图形。如此，在保证电极被钝化层覆盖以解决金属逆压迁移问题的同时，通过撕膜即可形成钝化层图形，减少光刻次数，简化工艺，降低成本。
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