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公开(公告)号：CN113437188A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110702283.4
申请日：2021-06-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面，且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；使透明导电层层叠于扩展电极之上，实现第一电极与扩展电极分层制作，从而实现扩展电极的选择灵活性，以减少扩展电极对光的吸收，同时可防止扩展电极脱落的现象。
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公开(公告)号：CN113097361A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110354775.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形成化学修饰剂自组装单分子层，并且化学修饰剂含有氨基和\或巯基可进一步进行修饰，从而使蒸镀的金属与氨基和\或巯基形成稳定的化学键，提高了ITO与金属层之间的粘附性，进而提高了LED的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN112133803A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010992690.9
申请日：2020-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，通过在所述发光结构的表面构建纳米体系，且所述纳米体系的自由振动频率与所述发光结构的入射光光子频率相匹配，使所述发光结构的局域表面形成等离激元共振(LSPR)效应，进而提高发光二极管的亮度。并通过纳米压印工艺的应用可精准控制等间距且均匀的纳米粒子的形成，且失效粒子较少，从而获得最佳的纳米体系；同时其工艺制作简单便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097361B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110354775.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形成化学修饰剂自组装单分子层，并且化学修饰剂含有氨基和\或巯基可进一步进行修饰，从而使蒸镀的金属与氨基和\或巯基形成稳定的化学键，提高了ITO与金属层之间的粘附性，进而提高了LED的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN110635000A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910916498.9
申请日：2019-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；在第一半导体层背离衬底的一侧形成发光层；在发光层背离第一半导体层的一侧形成第二半导体层，第二半导体层与第一半导体层的掺杂类型不同；对第二半导体层和发光层对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分第一半导体层；利用预设溶液对第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得第一半导体层的侧壁具有预设表面，预设表面与衬底交界位置所在的平面与衬底所在平面之间的夹角为锐角，预设溶液中包括四甲基氢氧化铵。该方法制作的LED芯片具有较高的取光效率和较强的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN109638135A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910006183.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一发光芯片及其制造方法和电流扩展方法，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。
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公开(公告)号：CN209691783U
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201920009780.4
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开了一发光芯片，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209709013U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201920009957.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所述N型半导体层，所述P型电极在穿过所述钝化保护层后被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层。自所述N型电极注入的电流经所述N型半导体层的扩展后流入所述发光层，自所述P型电极注入的电流经所述P型半导体层和所述电流扩展层的扩展后流入所述发光层，电流在所述发光层进行复合后使所述半导体器件产生光线。
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