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公开(公告)号：CN110635000A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910916498.9
申请日：2019-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；在第一半导体层背离衬底的一侧形成发光层；在发光层背离第一半导体层的一侧形成第二半导体层，第二半导体层与第一半导体层的掺杂类型不同；对第二半导体层和发光层对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分第一半导体层；利用预设溶液对第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得第一半导体层的侧壁具有预设表面，预设表面与衬底交界位置所在的平面与衬底所在平面之间的夹角为锐角，预设溶液中包括四甲基氢氧化铵。该方法制作的LED芯片具有较高的取光效率和较强的抗ESD能力。
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